[發明專利]納米線官能化、分散和附著方法有效
| 申請號: | 201380030869.4 | 申請日: | 2013-04-11 |
| 公開(公告)號: | CN104380469B | 公開(公告)日: | 2018-06-22 |
| 發明(設計)人: | T.M.賈汀;M.哈夫曼;L.G.S.烏爾文隆德;J.E.博里斯特倫;U.納西姆 | 申請(專利權)人: | 索爾伏打電流公司 |
| 主分類號: | H01L29/66 | 分類號: | H01L29/66;B82Y10/00;B82Y40/00;H01L51/00;H01L29/06;H01L29/16;H01L29/20;H01L29/22 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周鐵;彭昶 |
| 地址: | 瑞典*** | 國省代碼: | 瑞典;SE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 納米線 官能化 襯底 官能化化合物 納米線器件 半極性溶劑 表面取向 附著 垂直 制造 | ||
1.一種組合物,其包含:
極性或半極性溶劑;和
懸浮在所述溶劑中并且浮在所述溶劑表面上的桿狀半導體納米線,懸浮在所述溶劑中的所述桿狀半導體納米線各自包含第一部分和第二部分,其中各桿狀半導體納米線的第一部分包含第一官能化化合物且各桿狀半導體納米線的第二部分包含第二官能化化合物,其中第二官能化化合物不同于第一官能化化合物;
其中所述桿狀半導體納米線的第一部分包含金屬納米線生長催化劑粒子,以及其中所述桿狀半導體納米線的第二部分包含GaAs、InP、InAs、GaAsxP1-x、InxGa1-xP、InGaAsP、GaN、InN、GaxIn1-xN、GaP、InSb、GaSb、InxAl1-xSb、GaxAl1-xSb、AlN、BN、Si或SiC中的一種或多種;和
其中所述桿狀半導體納米線的第二部分沉浸在所述極性或半極性溶劑中并且所述第一部分位于所述極性或半極性溶劑之外。
2.權利要求1的組合物,其中所述溶劑是極性的。
3.權利要求1的組合物,其中第一和第二官能化化合物之一包含帶電化合物,且第一和第二官能化化合物的另一者包含不帶電化合物。
4.權利要求3的組合物,其中:
所述帶電化合物包含選自硫醇、羧酸、膦酸、二硫化物、硅烷、磺酸根和膦的錨部分和選自磺酸根、膦酸根、羧酸根、胺和聚醚的官能團;且
所述不帶電化合物包含選自硫醇、羧酸、膦酸、二硫化物、硅烷、磺酸根和膦的錨部分和選自烷、烯、炔和氟化合物的官能團。
5.權利要求4的組合物,其中:
所述帶電化合物選自巰基丙烷磺酸鈉、巰基乙烷磺酸鈉、巰基烷丁二酸鹽(2-巰基丁二酸鹽)、12-巰基十二烷酸、(11-巰基十一烷基)-N,N,N-三甲基溴化銨、(12-膦酰基十二烷基)膦酸、硫辛酸、雙(四氟硼酸)(2-銨乙基)二叔丁基鏻和(3-氨基丙基)三乙氧基硅烷和12-巰基十二烷酸NHS酯;且
所述不帶電化合物選自戊烷硫醇、全氟癸烷硫醇、十二烷基三氯硅烷、硬脂酸、癸基膦酸、5-(1,2-二硫戊環-3-基)-N-十二烷基戊酰胺、十二烷基硫酸鈉、三苯膦和十八烷基硫醇。
6.權利要求1的組合物,其中第一和第二官能化化合物包含帶相反電荷的化合物。
7.權利要求1的組合物,其中第一和第二官能化化合物之一包含氟化化合物,且第一和第二官能化化合物的另一者包含非氟化化合物。
8.權利要求1的組合物,其中所述極性或半極性溶劑使所述納米線排列。
9.權利要求1的組合物,其中所述納米線是排列的。
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