[發明專利]用于拋光鉬的組合物和方法

在審

• 申請號: 201380030768.7
• 申請日: 2013-06-10
• 公開（公告）號: CN104395425A
• 公開（公告）日: 2015-03-04
• 發明（設計）人: P.辛格;L.瓊斯
• 申請（專利權）人: 嘉柏微電子材料股份公司
• 主分類號: C09K3/14
• 分類號: C09K3/14
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 宋莉

1.用于拋光含鉬基材的含水化學-機械拋光(CMP)組合物，所述組合物包含具有在3-6范圍內的pH的含水載體且在使用點處包含：

(a)選自二氧化硅研磨劑和氧化鋁研磨劑的粒狀研磨劑；

(b)水溶性表面活性物質；和

(c)氧化劑；

其中所述表面活性物質是基于所述粒狀研磨劑的ζ電位選擇的，使得當所述研磨劑具有正的ζ電位時，所述表面活性物質包括陽離子型物質，和當所述粒狀研磨劑具有負的ζ電位時，所述表面活性物質包括陰離子型物質、非離子型物質、或其組合。

2.權利要求1的CMP組合物，其中所述粒狀研磨劑包括α-氧化鋁且所述表面活性劑為陽離子型物質。

3.權利要求2的CMP組合物，其中所述陽離子型物質為陽離子型聚合物。

4.權利要求3的CMP組合物，其中所述陽離子型聚合物包括聚鹵化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基銨)。

5.權利要求3的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

6.權利要求1的CMP組合物，其中所述粒狀研磨劑包括二氧化硅且所述表面活性物質為陰離子型物質、非離子型物質、或其組合。

7.權利要求6的CMP組合物，其中所述表面活性物質包括聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其組合。

8.權利要求6的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

9.權利要求1的CMP組合物，其中所述粒狀研磨劑包括具有正的ζ電位的經氨基硅烷表面處理的二氧化硅，且所述表面活性物質包括陽離子型物質。

10.權利要求9的CMP組合物，其中所述陽離子型物質為陽離子型聚合物。

11.權利要求10的CMP組合物，其中所述陽離子型聚合物包括聚鹵化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基銨)。

12.權利要求9的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

13.權利要求1的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

14.用于拋光鉬的含水化學-機械拋光(CMP)組合物，所述組合物包含具有在3-6范圍內的pH的含水載體且在使用點處包含：

(a)0.5-6重量％的選自二氧化硅研磨劑和氧化鋁研磨劑的粒狀研磨劑；

(b)25-5,000ppm的水溶性表面活性物質；和

(c)0.1-1.5重量％的氧化劑，

其中所述表面活性物質是基于所述粒狀研磨劑的ζ電位選擇的，使得當所述研磨劑具有正的ζ電位時，所述表面活性物質包括陽離子型物質，和當所述粒狀研磨劑具有負的ζ電位時，所述表面活性物質包括陰離子型物質、非離子型物質、或其組合。

15.權利要求14的CMP組合物，其中所述粒狀研磨劑包括α-氧化鋁或經氨基硅烷表面處理的二氧化硅，并具有正的ζ電位，且所述水溶性表面活性物質包括聚鹵化(甲基丙烯酰氧基乙基三甲基銨)。

16.權利要求15的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

17.權利要求14的CMP組合物，其中所述粒狀研磨劑包括具有負的ζ電位的二氧化硅，且所述水溶性表面活性物質包括聚(丙烯酸)、聚丙烯酰胺、或其組合。

18.權利要求17的CMP組合物，其中氧化劑包括過氧化氫。

19.用于拋光含鉬基材的化學-機械拋光(CMP)方法，所述方法包括下列步驟：

(a)使所述基材的表面與拋光墊和權利要求1的含水CMP組合物接觸；和

(b)在保持所述CMP組合物的一部分與所述拋光墊和所述基材之間的表面接觸的同時導致所述墊和所述基材之間相對運動一段足以從所述基材磨除所述鉬的至少一部分的時間。

20.用于拋光含鉬基材的化學-機械拋光(CMP)方法，所述方法包括如下步驟：

(a)使所述基材的表面與拋光墊和權利要求14的含水CMP組合物接觸；和

(b)在保持所述CMP組合物的一部分與所述拋光墊和所述基材之間的表面接觸的同時導致所述墊和所述基材之間相對運動一段足以從所述基材磨除所述鉬的至少一部分的時間。