[發(fā)明專利]光伏薄層太陽能模塊以及用于制造這種薄層太陽能模塊的方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380030596.3
• 申請日: 2013-03-28
• 公開（公告）號: CN104335351B
• 公開（公告）日: 2018-11-06
• 發(fā)明（設計）人: V.普羅布斯特
• 申請（專利權(quán)）人: 羅伯特·博世有限公司
• 主分類號: H01L31/0465
• 分類號: H01L31/0465;H01L31/0224;H01L31/032;H01L31/0392;H01L31/0475;H01L31/05;H01L31/0749;H01L31/18
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 臧永杰;胡莉莉

1.光伏薄層太陽能模塊，其包括：

至少一個襯底層，

至少一個后電極層，

至少一個傳導性勢壘層，

至少一個接觸層，

至少一個半導體吸收層，

至少一個第一緩沖層，其包含或由CdS或無CdS的層構(gòu)成，和/或

至少一個第二緩沖層，其包含并由本征氧化鋅和/或高歐姆氧化鋅構(gòu)成，以及

至少一個透明前電極層，其特征在于，

相間隔的、填充有至少一種絕緣材料的第一結(jié)構(gòu)化分離溝槽，其把相鄰的太陽能電池相互分離直至襯底層，

相間隔的、填充有或配備有至少一種導電材料的第二結(jié)構(gòu)化分離溝槽，其延伸直至接觸層或直至后電極層或直至勢壘層，并分別與被填充的第一結(jié)構(gòu)化分離溝槽相鄰，

相間隔的第三結(jié)構(gòu)化分離溝槽，其延伸直至接觸層或直至后電極層或直至勢壘層，并分別在第一結(jié)構(gòu)化溝槽的以下側(cè)與第二結(jié)構(gòu)化溝槽相鄰，即該第二結(jié)構(gòu)化分離溝槽與第一結(jié)構(gòu)化溝槽的該側(cè)相鄰，以及

至少一個導電橋，其從填充有導電材料的或配備有這種材料的第二結(jié)構(gòu)化分離溝槽越過填充有該絕緣材料的相鄰第一結(jié)構(gòu)化分離溝槽至與之相鄰的太陽能電池的前電極層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個后電極層直接鄰近該襯底層。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個傳導性勢壘層直接鄰近該后電極層和/或該襯底層。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個接觸層直接鄰近該勢壘層。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個接觸層是歐姆接觸層。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個半導體吸收層直接鄰近該接觸層。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述半導體系吸收層包括黃銅礦或鋅黃錫礦半導體吸收層。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個第一緩沖層直接鄰近該半導體吸收層。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個第一緩沖層包含或由Zn(S,OH)或In₂S₃構(gòu)成。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個第二緩沖層直接鄰近該半導體吸收層或該第一緩沖層。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個透明前電極層直接鄰近該半導體吸收層、該第一緩沖層和/或該第二緩沖層。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述至少一個透明前電極層包含或由n摻雜的氧化鋅構(gòu)成。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述第二結(jié)構(gòu)化分離溝槽延伸直至勢壘層。

14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的薄層太陽能模塊，其特征在于，所述第三結(jié)構(gòu)化分離溝槽延伸直至勢壘層。