[發明專利]排列式存儲器單元有效
| 申請號: | 201380030235.9 | 申請日: | 2013-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN104350598A | 公開(公告)日: | 2015-02-11 |
| 發明(設計)人: | 斯科特·E·西里斯 | 申請(專利權)人: | 美光科技公司 |
| 主分類號: | H01L27/115 | 分類號: | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287 | 代理人: | 宋獻濤 |
| 地址: | 美國愛*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 排列 存儲器 單元 | ||
優先權申請
本申請案主張2012年5月11日申請的第13/469,706號美國申請案的優先權益,所述申請案的全文以引用的方式并入本文中。
背景技術
計算機及其它電子系統(例如,數字電視、數碼相機及蜂窩式電話)通常具有一或多個存儲器裝置以存儲信息。日益減小存儲器裝置的尺寸以實現更高密度的存儲容量。即使當實現增加的密度時,消費者仍常要求存儲器裝置還使用較少電力同時維持高速存取。
針對使用離散導電路徑(CP)(例如形成于電阻改變存儲器(RCM)單元的電觸點之間的細絲或絲狀連接器)操作的RCM單元,多個電觸點之間的多個路徑原則上為可行的。所揭示的標的物通過利用具有兩個以上電觸點(EC)的單元內的多個導電路徑的各種組合及排列而在RCM單元或其它類型的基于細絲存儲器單元(例如,電阻性隨機存取存儲器(RRAM)單元)中提供用于冪次定律增加的存儲密度的機制。
附圖說明
圖1為根據實施例的具有存儲器陣列(其具有存儲器單元)的存儲器裝置的框圖;
圖2為根據實施例的具有包含存儲器單元(其具有存取組件及存儲器元件)的存儲器陣列的存儲器裝置的部分框圖;
圖3為根據各種實施例的具有耦合到存儲器元件的存取組件的存儲器單元的示意圖;
圖4為可配合圖1及2的存儲器裝置使用或可用以形成圖3的存儲器單元的若干類型的電阻改變存儲器(RCM)單元中的一者的簡化示意框圖;
圖5說明根據一實施例與具有兩個電觸點的存儲器單元相關聯的若干組合及排列;
圖6說明根據一實施例的具有四個電觸點的存儲器單元中的導電路徑的若干組合及排列;
圖7說明根據一實施例的具有六個電觸點的存儲器單元中的導電路徑的若干組合及排列;
圖8為指示根據一實施例具有六邊形密集陣列中的七個電觸點的存儲器單元中的導電路徑的若干組合及排列的平面圖;
圖9為指示根據一實施例具有正方形陣列中的四個電觸點的存儲器單元中的導電路徑的若干組合及排列的平面圖;及
圖10為包含存儲器裝置的系統實施例的框圖。
具體實施方式
以下描述包含體現標的物的說明性設備(電路、裝置、結構、系統及類似物)及方法(例如,工藝、協議、序列、技術及科技)。在以下描述中,出于解釋的目的,闡述許多具體細節以便提供對本發明標的物的各種實施例的理解。然而,在閱讀本發明之后,所屬領域的一般技術人員將明白,可在無這些具體細節的情況下實踐標的物的各種實施例。此外,未詳細展示眾所周知的設備及方法以免混淆各種實施例的描述。
針對使用離散導電路徑(CP)(例如形成于電阻改變存儲器(RCM)單元的電觸點之間的細絲或絲狀連接器)操作的RCM單元,多個電觸點之間的多個路徑原則上為可行的。所揭示的標的物通過利用具有兩個以上電觸點(EC)的單元內的多個導電路徑的各種組合及排列而在RCM單元或其它類型的基于細絲的存儲器單元(例如,電阻性隨機存取存儲器(RRAM)單元)中提供用于冪次定律增加的存儲密度的機制。
現參考圖1,其展示呈存儲器裝置101的形式的設備的框圖。存儲器裝置101包含具有根據一實施例的若干(例如,一或多個)存儲器單元100的一或多個存儲器陣列102。存儲器單元100可連同存取線104(例如,用以傳導信號WL0到WLm的字線)及第一數據線106(例如,用以傳導信號BL0到BLn的位線)一起布置成行及列。存儲器裝置101可使用存取線104及第一數據線106傳遞信息到存儲器單元100且可從存儲器單元100傳遞數據。行解碼器107及列解碼器108解碼地址線109上的地址信號A0到AX以確定待存取哪些存儲器單元100。
感測電路(例如,讀出放大器電路110)操作以依第一數據線106上的信號的形式確定從存儲器單元100讀取的信息值。讀出放大器電路110還可使用第一數據線106上的信號以確定待寫入到存儲器單元100的信息值。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





