[發明專利]具有低歐姆接觸電阻的氮化鎵器件有效
| 申請號： | 201380030015.6 | 申請日： | 2013-06-05 |
| 公開（公告）號： | CN104471713B | 公開（公告）日： | 2019-01-18 |
| 發明（設計）人： | K·塔巴塔比;W·E·霍克;E·M·詹貝斯;K·麥卡錫 | 申請（專利權）人： | 雷聲公司 |
| 主分類號： | H01L29/778 | 分類號： | H01L29/778;H01L29/08;H01L29/06 |
| 代理公司： | 永新專利商標代理有限公司 72002 | 代理人： | 林金朝;王英 |
| 地址： | 美國馬*** | 國省代碼： | 美國;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體層 下層 電子施主層 臺面結構 帶隙 歐姆接觸電阻 二維電子氣 歐姆接觸 側壁處 側向 上層 半導體結構 氮化鎵器件 材料形成 外邊緣 側壁 | ||
1.一種半導體結構，包括：
襯底；
設置在所述襯底的表面上的臺面結構，所述臺面結構具有相對于所述襯底的所述表面傾斜的側壁并且包括：
下層半導體層，所述下層半導體層的上部部分的端部終止于所述側壁的下部；
上層半導體層，所述上層半導體層的端部終止于所述側壁的上部，所述上層半導體層具有與所述下層半導體層不同的帶隙并且與所述下層半導體層直接接觸，以在所述上層半導體層與所述下層半導體層之間形成第一二維電子氣區；
具有比所述下層半導體層高的帶隙的電子施主層，其設置在所述臺面結構的所述側壁上并且與所述下層半導體層直接接觸以在所述側壁處在所述電子施主層與所述下層半導體層之間形成第二二維電子氣區；
歐姆接觸材料，其設置在所述電子施主層上。
2.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述歐姆接觸材料在所述臺面結構的頂部部分處終止。
3.根據權利要求1所述的半導體結構，其中，所述下層半導體層是GaN。
4.根據權利要求3所述的半導體結構，其中，所述上層半導體層包括AlN。
5.根據權利要求4所述的半導體結構，其中，所述電子施主層是n型摻雜的AlGaN。
6.根據權利要求5所述的半導體結構，其中，所述歐姆接觸材料是n型摻雜的GaN。
7.根據權利要求6所述的半導體結構，包括與所述上層半導體層肖特基接觸的柵極電極。
8.根據權利要求7所述的半導體結構，包括與所述歐姆接觸材料接觸的歐姆接觸。
9.一種半導體結構，包括：
襯底；
設置在所述襯底的表面上的臺面結構，所述臺面結構具有相對于所述襯底的所述表面傾斜的側壁并且包括：
下層半導體層，所述下層半導體層的上部部分的端部終止于所述側壁的下部；
上層半導體層，所述上層半導體層的端部終止于所述側壁的上部，所述上層半導體層具有比所述下層半導體層高的帶隙并且與所述下層半導體層直接接觸，以在所述上層半導體層與所述下層半導體層之間形成第一二維電子氣區；
具有比所述下層半導體層高的帶隙的附加半導體層，所述附加半導體層設置在所述臺面結構的所述側壁上并且與所述下層半導體層直接接觸，以在所述側壁處在所述附加半導體層與所述下層半導體層之間形成第二二維電子氣區；以及
歐姆接觸材料，其設置在所述附加半導體層上。
10.一種半導體結構，包括：
襯底；
設置在所述襯底的表面上的臺面結構，所述臺面結構具有相對于所述襯底的所述表面傾斜的側壁并且包括：
下層半導體層，所述下層半導體層的上部部分的端部終止于所述側壁的下部；
上層半導體層，所述上層半導體層的端部終止于所述側壁的上部，所述上層半導體層具有與所述下層半導體層不同的帶隙并且與所述下層半導體層直接接觸；
具有比所述下層半導體層高的帶隙的電子施主層，其設置在所述臺面結構的所述側壁上并且與所述下層半導體層直接接觸以在所述側壁處在所述電子施主層與所述下層半導體層之間形成二維電子氣區；
歐姆接觸材料，其設置在所述電子施主層上。
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