[發明專利]發射輻射的構件、透明材料和填料顆粒以及其制備方法有效
| 申請號: | 201380029375.4 | 申請日: | 2013-04-05 |
| 公開(公告)號: | CN104334627A | 公開(公告)日: | 2015-02-04 |
| 發明(設計)人: | K.施密特克;B.布勞內;M.克魯帕 | 申請(專利權)人: | 奧斯蘭姆奧普托半導體有限責任公司 |
| 主分類號: | C08K9/04 | 分類號: | C08K9/04;C08K9/06;H01L33/56;H01L33/64 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 周鐵;林森 |
| 地址: | 德國雷*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 發射 輻射 構件 透明 材料 填料 顆粒 及其 制備 方法 | ||
1.發射輻射的構件,其包括:
-?輻射源(10);
-?在構件的輻射通路中設置的透明材料(50),其包含聚合物材料(PM)和填料顆粒(60);
其中所述填料顆粒(60)包含無機填料材料(F)和在其表面上連接的膦酸衍生物或磷酸衍生物(65),通過該膦酸衍生物或磷酸衍生物使所述填料顆粒(60)與所述聚合物材料(PM)交聯。
2.權利要求1的構件,
其中所述透明材料(50)可以通過使所述填料顆粒(60)與所述聚合物材料(PM)交聯而獲得,其方式是使所述聚合物材料(PM)與膦酸衍生物或磷酸衍生物進行反應,該膦酸衍生物或磷酸衍生物具有式Ia和/或Ib表示的結構:
??,
其中
n?=?0或1,
X表示間隔基團,
R?=?H、烷基、芳基、芳基烷基或硅烷基,和
FG表示可交聯的基團或離去基團。
3.權利要求2的構件,
其中在式Ia和Ib中在P-[X]n-嵌段的X選自亞烷基、亞芳基烷基、亞烷基芳基、亞芳基、亞烷基-O-亞烷基、O-亞烷基、O-亞芳基烷基、O-亞烷基芳基、O-亞芳基和O-亞烷基-O-亞烷基。
4.權利要求2或3的構件,
其中在式Ia和Ib中在P-[X]n-FG-嵌段的FG選自乙烯基、環氧乙基、縮水甘油基、O-乙烯基、O-烯丙基、O-鏈烯基、O-環氧烷基、O-縮水甘油基、O-烷基、O-芳基、S-烷基、S-芳基和鹵素。
5.權利要求2至4任一項的構件,
其中在式Ia和Ib中在P-[X]n-FG-嵌段的[X]n-FG選自乙烯基、烯丙基、環氧乙基、縮水甘油基、O-乙烯基、O-縮水甘油基、
、、、??和??。
6.上述權利要求任一項的構件,
其中所述聚合物材料(PM)包括硅酮、環氧樹脂、硅酮-環氧化物-雜化材料或其組合。
7.權利要求6的構件,
其中所述透明材料(50)可以通過使所述填料顆粒(60)與所述聚合物材料(PM)交聯而獲得,其方式是使所述聚合物材料(PM)的選自Si-H、Si-OH或亞烷基-OH的官能團Y與膦酸衍生物或磷酸衍生物的可交聯基團或離去基團反應和該膦酸衍生物或磷酸衍生物具有式Ia和/或Ib表示的結構。
8.上述權利要求任一項的構件,
其中在所述透明材料(50)中使所述聚合物材料(PM)與所述填料顆粒(60)交聯的所述膦酸衍生物或磷酸衍生物(65)具有式IIa和/或IIb表示的結構,
,
其中
n?=?0或1,
X表示間隔基團,
R?=?H、烷基、芳基、芳基烷基或硅烷基,和
FG’表示使所述聚合物材料(PM)與所述膦酸衍生物或磷酸衍生物的[X]n-P-嵌段交聯的原子或原子團。
9.上述權利要求任一項的構件,
其中所述無機填料材料(F)包括擴散劑、導熱金屬氧化物、轉換器材料或其組合。
10.用于制備透明材料(50)的方法,其包括下列步驟:
A)?提供聚合物材料(PM);
B)?提供填料顆粒(60),其包含無機填料材料(F)和在其表面上連接的膦酸衍生物或磷酸衍生物;
C)?制備包含所述聚合物材料(PM)和所述填料顆粒(60)的混合物;
D)?固化該混合物,其中所述聚合物材料(PM)與所述填料顆粒(60)通過連接的膦酸衍生物或磷酸衍生物交聯,由此獲得所述透明材料(50)。
11.權利要求10的方法,
其中在步驟B)中所述填料顆粒(60)包含在其表面上連接的膦酸衍生物或磷酸衍生物,該膦酸衍生物或磷酸衍生物具有式Ia和/或Ib表示的結構:
??,
其中
n?=?0或1,
X表示間隔基團,
R?=?H、烷基、芳基、芳基烷基或硅烷基,和
FG表示可交聯的基團或離去基團。
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