[發明專利]具有被配置為使用輻射偏轉進行原位測量的沉積腔室的沉積系統及相關方法在審
| 申請號: | 201380029139.2 | 申請日: | 2013-05-24 |
| 公開(公告)號: | CN104471107A | 公開(公告)日: | 2015-03-25 |
| 發明(設計)人: | C·卡尼扎瑞斯;D·丁 | 申請(專利權)人: | 索泰克公司 |
| 主分類號: | C23C16/52 | 分類號: | C23C16/52 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司 11127 | 代理人: | 龐東成;解延雷 |
| 地址: | 法國*** | 國省代碼: | 法國;FR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 具有 配置 使用 輻射 偏轉 進行 原位 測量 沉積 系統 相關 方法 | ||
1.一種用于沉積系統的沉積腔室,所述沉積腔室包括:
至少一個腔室壁,所述腔室壁包含對至少一定波長范圍內的電磁輻射至少基本上透明的透明材料,所述至少一個腔室壁包括:
外部主表面;
內部主表面,所述內部主表面與所述外部主表面至少基本上平行定向;
外部窗口表面,所述外部窗口表面由所述外部主表面延伸出并至少部分由所述外部主表面包圍,所述外部窗口表面與所述外部主表面成一定角度定向;和
內部窗口表面,所述內部窗口表面由所述內部主表面延伸出并至少部分由所述內部主表面包圍,所述內部窗口表面與所述內部主表面成一定角度定向,所述內部窗口表面的至少一部分與所述外部窗口表面的至少一部分沿與所述外部主表面和所述內部主表面垂直的軸對齊。
2.根據權利要求1所述的沉積腔室,其中,所述外部主表面和所述內部主表面至少基本上為平面狀。
3.根據權利要求2所述的沉積腔室,其中,所述外部窗口表面和所述內部窗口表面至少基本上為平面狀。
4.根據權利要求3所述的沉積腔室,其中,所述外部窗口表面和所述內部窗口表面彼此平行定向。
5.根據權利要求4所述的沉積腔室,其中,所述外部窗口表面從所述外部主表面延伸進入所述至少一個腔室壁,并限定出延伸入所述至少一個腔室壁中的外部窗口凹部。
6.根據權利要求5所述的沉積腔室,其中,所述內部窗口表面從所述內部主表面延伸進入所述至少一個腔室壁,并限定出延伸入所述至少一個腔室壁中的內部窗口凹部。
7.根據權利要求1所述的沉積腔室,其中,所述至少一個腔室壁還包括:
另一外部窗口表面,所述另一外部窗口表面由所述外部主表面延伸出且至少部分由所述外部主表面包圍,并借由所述外部主表面的一部分與所述外部窗口表面隔開,所述另一外部窗口表面與所述外部主表面成一定角度定向;和
另一內部窗口表面,所述另一內部窗口表面由所述內部主表面延伸出且至少部分由所述內部主表面包圍,并借由所述內部主表面的一部分與所述內部窗口表面隔開,所述另一內部窗口表面與所述內部主表面成一定角度定向,所述另一內部窗口表面的至少一部分與所述另一外部窗口表面的至少一部分沿與所述外部主表面和所述內部主表面垂直的另一軸對齊。
8.根據權利要求1所述的沉積腔室,其中,所述沉積腔室包括化學氣相沉積(CVD)腔室。
9.根據權利要求8所述的沉積腔室,其中,所述沉積腔室包括氣相外延(VPE)沉積腔室。
10.一種沉積腔室的形成方法,所述方法包括:
形成至少一個腔室壁,所述腔室壁包含對至少一定波長范圍內的電磁輻射至少基本上透明的透明材料,其中,形成所述至少一個腔室壁的過程包括:
形成所述至少一個腔室壁的外部主表面;
形成所述至少一個腔室壁的內部主表面,所述內部主表面與所述外部主表面至少基本上平行定向;
形成所述至少一個腔室壁的外部窗口表面,所述外部窗口表面由所述外部主表面延伸出并至少部分由所述外部主表面包圍,所述外部窗口表面與所述外部主表面成一定角度定向;以及
形成所述至少一個腔室壁的內部窗口表面,所述內部窗口表面由所述內部主表面延伸出并至少部分由所述內部主表面包圍,所述內部窗口表面與所述內部主表面成一定角度定向,所述內部窗口表面的至少一部分與所述外部窗口表面的至少一部分沿與所述外部主表面和所述內部主表面垂直的軸對齊。
11.根據權利要求10所述的方法,所述方法還包括將所述外部主表面和所述內部主表面形成為至少基本上為平面狀。
12.根據權利要求11所述的方法,所述方法還包括將所述外部窗口表面和所述內部窗口表面形成為至少基本上為平面狀。
13.根據權利要求12所述的方法,所述方法還包括將所述外部窗口表面和所述內部窗口表面形成為彼此平行定向。
14.根據權利要求13所述的方法,所述方法還包括將所述外部窗口表面形成為從所述外部主表面延伸進入所述至少一個腔室壁,從而限定出延伸入所述至少一個腔室壁中的外部窗口凹部。
15.根據權利要求14所述的方法,所述方法還包括將所述內部窗口表面形成為從所述內部主表面延伸進入所述至少一個腔室壁,從而限定出延伸入所述至少一個腔室壁中的內部窗口凹部。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





