[發(fā)明專利]基板加工裝置及基板加工方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380029010.1 | 申請日： | 2013-05-28 |
| 公開（公告）號： | CN104380435B | 公開（公告）日： | 2018-04-06 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 韓政勛;黃喆周;徐承勛;李相敦 | 申請（專利權(quán)）人： | 周星工程股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/205 | 分類號： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京鴻元知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11327 | 代理人： | 許向彤,陳英俊 |
| 地址： | 韓國*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 加工 裝置 方法 | ||
1.一種基板加工裝置，包括：
加工腔室；
用于支撐至少一個基板的基板支撐體，其中，所述基板支撐體設(shè)置在所述加工腔室中，并且所述基板支撐體朝預(yù)定方向旋轉(zhuǎn)；
與所述基板支撐體相對的腔室蓋，所述腔室蓋用于覆蓋所述加工腔室的上側(cè)；以及
具有用于將氣體分配給所述基板的多個氣體分配模塊的氣體分配器，其中，所述多個氣體分配模塊連接到所述腔室蓋，
其中，每個所述氣體分配模塊包括彼此相對的電源電極和接地電極，在所述電源電極和所述接地電極之間形成等離子體放電空間，并且所述等離子體放電空間與由所述基板支撐體支撐的所述基板的薄膜形成區(qū)域不重疊，
其中，所述多個氣體分配模塊中的每一個氣體分配模塊設(shè)置有用于分配第一氣體的第一氣體分配空間和用于分配第二氣體的第二氣體分配空間，所述第一氣體分配空間和所述第二氣體分配空間在空間上彼此分離，
其中，所述電源電極和所述接地電極在所述第一氣體分配空間中形成，
其中，所述基板支撐體與預(yù)定的升降裝置連接，當(dāng)通過使用升降裝置使得所述基板支撐體向下移動時，所述等離子體放電空間與由所述基板支撐體支撐的所述基板的薄膜形成區(qū)域不重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電源電極和所述基板之間的高度大于所述電源電極和所述接地電極之間的距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的裝置，其中，所述電源電極和所述接地電極之間的距離對應(yīng)于所述電源電極的末端和所述接地電極的末端之間的距離。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，
其中，當(dāng)所述基板支撐體向下移動時，所述電源電極和所述基板之間的高度大于所述電源電極和所述接地電極之間的距離，并且
當(dāng)所述基板支撐體向上移動時，所述電源電極和所述基板之間的高度小于所述電源電極和所述接地電極之間的距離。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的裝置，其中，所述電源電極和所述接地電極之間的距離對應(yīng)于所述電源電極的末端和所述接地電極的末端之間的距離。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述電源電極和所述接地電極相對于所述基板表面垂直突出，以將由等離子體放電所產(chǎn)生的陽離子或電子轉(zhuǎn)移到平行于所述基板表面的方向。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二氣體分配空間另外設(shè)置有氣孔圖案部件，所述氣孔圖案部件防止從所述第一氣體分配空間分配的所述第一氣體流向所述第二氣體分配空間。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的裝置，其中，所述第二氣體分配空間設(shè)置有附加的電源電極和接地電極。
9.一種基板加工方法，包括：
在加工腔室中安裝多個氣體分配模塊，并且將至少一個基板裝載到基板支撐體上；
旋轉(zhuǎn)所述基板支撐體；
將來自所述多個氣體分配模塊中的至少一個氣體分配模塊的氣體分配給所述基板，并且產(chǎn)生等離子體放電；
將來自所述多個氣體分配模塊中的至少一個氣體分配模塊的第一氣體分配給所述基板，并且產(chǎn)生第一等離子體放電；以及
將來自所述多個氣體分配模塊中的至少一個氣體分配模塊的第二氣體分配給所述基板，并且產(chǎn)生第二等離子體放電，
其中，每個所述氣體分配模塊包括彼此相對的電源電極和接地電極，在所述電源電極和所述接地電極之間形成等離子體放電空間，并且所述等離子體放電空間與由所述基板支撐體支撐的所述基板的薄膜形成區(qū)域不重疊，
其中，所述多個氣體分配模塊中的每一個氣體分配模塊設(shè)置有用于分配第一氣體的第一氣體分配空間和用于分配第二氣體的第二氣體分配空間，所述第一氣體分配空間和所述第二氣體分配空間在空間上彼此分離，
其中，所述電源電極和所述接地電極在所述第一氣體分配空間中形成，
其中，在等離子體放電空間與裝載到所述基板支撐體上的基板的薄膜形成區(qū)域重疊的條件下進(jìn)行所述第一等離子體放電，并且
其中，在所述等離子體放電空間與裝載到所述基板支撐體上的基板的薄膜形成區(qū)域不重疊的條件下進(jìn)行所述第二等離子體放電。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中，在所述電源電極和所述基板之間的高度大于所述電源電極和所述接地電極之間的距離的條件下進(jìn)行所述等離子體放電。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
