[發明專利]半導體層疊結構體和半導體元件

在審

• 申請號: 201380028938.8
• 申請日: 2013-05-27
• 公開（公告）號: CN104364883A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 飯冢和幸;渡邊信也;輿公祥;脅本大樹;山下佳弘;佐藤慎九郎
• 申請（專利權）人: 株式會社田村制作所;株式會社光波
• 主分類號: H01L21/205
• 分類號: H01L21/205;C23C16/34;C30B25/18;C30B29/38;H01L33/16;H01L33/32
• 代理公司: 北京市隆安律師事務所 11323
• 代理人: 徐謙

1.一種半導體層疊結構體，其特征在于，具有：

基板，其包含將從(-201)面朝向[102]方向傾斜的面作為主面的β-Ga₂O₃晶體；以及

氮化物半導體層，其包含在上述基板的上述主面上通過晶體外延生長而形成的Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶體。

2.根據權利要求1所述的半導體層疊結構體，其中，

上述主面是從(-201)面朝向[102]方向以0.5°～2.5°的偏離角傾斜且朝向[010]方向以-1.0°～1.0°的偏離角傾斜的面。

3.根據權利要求2所述的半導體層疊結構體，其中，

上述主面是從(-201)面朝向[102]方向以1.0°～2.0°的偏離角傾斜且朝向[010]方向以-0.5°～0.5°的偏離角傾斜的面。

4.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體層疊結構體，其中，

在上述基板與上述氮化物半導體層之間具有包含Al_xGa_yIn_zN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤z≤1，x+y+z＝1)晶體的緩沖層。

5.根據權利要求1～3中的任一項所述的半導體層疊結構體，其中，

上述氮化物半導體層包含GaN晶體。

6.一種半導體元件，其特征在于，

包括權利要求1～3中的任一項所述的半導體層疊結構體。