[發明專利]發光器件和用于創建發光器件的方法有效
| 申請號： | 201380028774.9 | 申請日： | 2013-05-22 |
| 公開（公告）號： | CN104364916B | 公開（公告）日： | 2018-01-19 |
| 發明（設計）人： | R.辛格;J.E.埃普勒 | 申請（專利權）人： | 皇家飛利浦有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 孫之剛,景軍平 |
| 地址： | 荷蘭艾*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | led 表面 粗糙 使用 特征 尺寸 形狀 控制 改進 提取 | ||
1.一種用于創建發光器件的方法，包括：
形成包括光提取表面的結構，光提取表面包括具有第一材料特性的連續的第一層和具有第二材料特性的連續的第二層，以及
粗糙化光提取表面以便創建延伸到第一和第二層中的特征；
其中第一和第二材料特性對光提取表面的粗糙化反應實質上不相同。
2.權利要求1的方法，其中第一層包括AlGaN并且第二層包括GaN。
3.權利要求2的方法，其中第一層包括AlxGa1-xN，其中x在0.3和0.8之間。
4.權利要求1的方法，
其中粗糙化包括光化學蝕刻，
其中粗糙化包括對用于光化學蝕刻的燈的光譜進行濾波以相對于第一材料的蝕刻速率增加第二材料的蝕刻速率以增加尖銳度。
5.權利要求1的方法，其中第一層比第二層更耐受粗糙化。
6.權利要求1的方法，其中第二層比第一層更耐受粗糙化。
7.權利要求1的方法，其中形成光提取表面包括具有第三材料特性的第三層，粗糙化創建延伸到第三層中的特征，并且第三材料特性對光提取表面的粗糙化做出與第一和第二材料特性實質上不相同的反應。
8.一種發光器件，包括光提取表面，發光表面包括：
具有第一材料特性的連續的第一層；和
具有第二材料特性的連續的第二層，
其中發光表面被粗糙化以便創建延伸到第一和第二層中的特征的拓撲，
其中在第一層處的特征的拓撲與在第二層處的特征的拓撲實質上不相同。
9.權利要求8的器件，其中第一層包括AlGaN并且第二層包括GaN。
10.權利要求9的器件，其中第一層包括AlxGa1-xN，其中x在0.3和0.8之間。
11.權利要求8的器件，其中第一和第二材料特性包括以下各項中的至少一個：材料成分、晶體缺陷密度、晶體缺陷類型、載流子濃度和外延應力。
12.權利要求8的器件，其中第一層比第二層更耐久。
13.權利要求8的器件，其中發光結構包括N-型層、有源層和P-型層，其中N-型層包括第一層和第二層。
14.權利要求8的器件，其中在第一層處的特征的拓撲比在第二層處的特征的拓撲更尖銳。
15.權利要求8的器件，其中光提取表面包括具有第三材料特性的第三層，并且被粗糙化以便創建延伸到第一、第二和第三層中的特征的拓撲；并且在第三層處的特征的拓撲與在第一和第二層處的特征的拓撲實質上不相同。
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