[發(fā)明專利]真空處理裝置、真空處理方法和存儲介質(zhì)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380028671.2
• 申請日: 2013-04-30
• 公開（公告）號: CN104350174A
• 公開（公告）日: 2015-02-11
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 古川真司;五味淳;宮下哲也;北田亨;中村貫人
• 申請（專利權(quán)）人: 東京毅力科創(chuàng)株式會社
• 主分類號: C23C14/58
• 分類號: C23C14/58;C23C14/02;C23C14/08;H01L21/8246;H01L27/105;H01L43/12
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;張會華

1.一種真空處理裝置，該真空處理裝置用于、利用將等離子體產(chǎn)生用氣體等離子體化而得到的等離子體中的離子濺射以面朝真空容器內(nèi)的載置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金屬膜、并接著將該金屬膜氧化，該真空處理裝置的特征在于，

該真空處理裝置包括：

第1靶，其由具有吸附氧的性質(zhì)的物質(zhì)構(gòu)成；

第2靶，其由金屬構(gòu)成；

電源部，其用于對所述第1靶和所述第2靶施加電壓；

活動擋板，其用于防止在濺射所述第1靶和所述第2靶中的一個時來自該一個靶的粒子附著于另一個靶；

遮蔽構(gòu)件，其在遮蔽基板的遮蔽位置與從遮蔽基板的位置退避的退避位置之間移動自如，以防止來自所述第1靶的粒子附著于基板；

氧供給部，其用于向所述載置部上的基板供給含氧氣體；

控制部，其用于執(zhí)行如下步驟：為了使第1靶的粒子附著在所述真空容器內(nèi)，而在將所述遮蔽構(gòu)件設(shè)定在遮蔽位置的狀態(tài)下向第1靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓，從而對第1靶進(jìn)行濺射的步驟；接著，停止對第1靶供給電壓，在將所述遮蔽構(gòu)件設(shè)定在退避位置的狀態(tài)下，為了在基板上形成金屬膜，而對第2靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓，從而對第2靶進(jìn)行濺射的步驟；接著，由所述氧供給部向所述基板供給含氧氣體的步驟。

2.一種真空處理裝置，該真空處理裝置用于、利用將等離子體產(chǎn)生用氣體等離子體化而得到的等離子體中的離子濺射以面朝真空容器內(nèi)的載置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金屬膜、并接著將該金屬膜氧化，該真空處理裝置的特征在于，

該真空處理裝置包括：

靶，其由具有吸附氧的性質(zhì)的金屬構(gòu)成；

電源部，其用于對所述靶施加電壓；

遮蔽構(gòu)件，其在遮蔽基板的遮蔽位置與從遮蔽基板的位置退避的退避位置之間移動自如，以防止來自所述靶的粒子附著于基板；

氧供給部，其用于向所述載置部上的基板供給含氧氣體；

控制部，其用于執(zhí)行如下步驟：為了使靶的粒子附著在所述真空容器內(nèi)，而在將所述遮蔽構(gòu)件設(shè)定在遮蔽位置的狀態(tài)下向靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓，從而對該靶進(jìn)行濺射的步驟；接著，停止對靶供給電壓，在將所述遮蔽構(gòu)件設(shè)定在退避位置的狀態(tài)下，為了在基板上形成金屬膜，而向所述靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓，從而對該靶進(jìn)行濺射的步驟；接著，由所述氧供給部向所述基板供給含氧氣體的步驟。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，

所述氧供給部設(shè)于所述遮蔽構(gòu)件。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，

該真空處理裝置包括加熱部，該加熱部用于在由所述氧供給部向真空容器內(nèi)噴出含氧氣體之前對該含氧氣體進(jìn)行加熱。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，

所述第1靶為從鈦、鉻、鉭、鋯、鎂、鉿中選出的一種金屬或者含有它們中的一種以上的合金。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的真空處理裝置，其特征在于，

所述第2靶為從鎂、鋁、鎳、鎵、錳、銅、銀、鋅、鉿中選出的一種金屬。

7.一種真空處理方法，在該真空處理方法中，利用將等離子體產(chǎn)生用氣體等離子體化而得到的等離子體中的離子濺射以面朝真空容器內(nèi)的載置部上的基板的方式配置的靶而在基板上形成金屬膜、并接著將該金屬膜氧化，該真空處理方法的特征在于，

在該真空處理方法中，使用由具有吸附氧的性質(zhì)的物質(zhì)構(gòu)成的第1靶和由金屬構(gòu)成的第2靶，

該真空處理方法包括如下工序：

為了防止來自所述第1靶的粒子附著于所述基板而利用遮蔽構(gòu)件遮蔽所述載置部上的所述基板，并且為了防止來自第1靶的粒子附著于第2靶而在面朝第2靶的位置配置活動擋板的工序；

接著，向所述第1靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓而對所述第1靶進(jìn)行濺射，由此使第1靶的粒子附著在真空容器內(nèi)的工序；

接著，停止對所述第1靶供給電壓，并且為了防止來自第2靶的粒子附著于第1靶而在面朝第1靶的位置配置活動擋板，并且將遮蔽構(gòu)件從遮蔽所述基板的位置退避的工序；

之后，對所述第2靶供給等離子體產(chǎn)生用電壓而對該第2靶進(jìn)行濺射，從而在所述基板上形成金屬膜的工序；

接著，向所述載置部上的所述基板供給含氧氣體的工序。