[發(fā)明專利]攝像裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380028598.9
• 申請日: 2013-04-04
• 公開（公告）號: CN104380466B
• 公開（公告）日: 2017-05-24
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 藤森紀(jì)幸;五十嵐考俊;吉田和洋
• 申請（專利權(quán)）人: 奧林巴斯株式會社
• 主分類號: H01L27/14
• 分類號: H01L27/14;H01L23/12;H01L23/29;H01L23/31
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種攝像裝置的制造方法，其特征在于，該攝像裝置的制造方法包括：

多個受光部形成于第1主面，切斷在各個受光部的周圍形成有電極焊盤的攝像芯片基板，制作多個攝像芯片的工序；

借助透明的粘接層將攝像芯片的上述第1主面粘接于透明的支承基板，并且，借助上述粘接層將虛設(shè)芯片粘接于上述支承基板的未粘接上述攝像芯片的外周區(qū)域而制作接合晶圓的工序；

利用密封構(gòu)件將粘接于上述接合晶圓的上述攝像芯片以及上述虛設(shè)芯片之間填充的工序；

將上述接合晶圓從第2主面?zhèn)燃庸ざ鴾p薄厚度的工序；

在上述第2主面上形成借助貫穿布線與上述電極焊盤連接的外部連接電極的工序；以及

切斷上述接合晶圓的工序，

上述減薄厚度的工序包含CMP工序，

在上述CMP工序中，在相同的CMP條件下，上述虛設(shè)芯片的加工速度比上述攝像芯片的加工速度慢，上述虛設(shè)芯片的厚度與CMP加工中的攝像芯片的目標(biāo)加工厚度相同。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的攝像裝置的制造方法，其特征在于，

經(jīng)檢查被判斷為合格品的攝像芯片粘接于上述支承基板。

3.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括：

多個半導(dǎo)體電路部形成于第1主面，切斷在各個半導(dǎo)體電路部的周圍形成有電極焊盤的半導(dǎo)體芯片基板，制作多個半導(dǎo)體芯片的工序；

借助粘接層將半導(dǎo)體芯片的上述第1主面粘接于支承基板，并且，借助上述粘接層將虛設(shè)芯片粘接于上述支承基板的未粘接上述半導(dǎo)體芯片的外周區(qū)域而制作接合晶圓的工序；

利用密封構(gòu)件將粘接于上述接合晶圓的上述半導(dǎo)體芯片以及上述虛設(shè)芯片之間填充的工序；

將上述接合晶圓從第2主面?zhèn)燃庸ざ鴾p薄厚度的工序；

在上述第2主面上形成借助貫穿布線與上述電極焊盤連接的外部連接電極的工序；以及

切斷上述接合晶圓的工序，

上述減薄厚度的工序包含CMP工序，

在上述CMP工序中，在相同的CMP條件下，上述虛設(shè)芯片的加工速度比上述半導(dǎo)體芯片的加工速度慢，上述虛設(shè)芯片的厚度與CMP加工中的半導(dǎo)體芯片的目標(biāo)加工厚度相同。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法，其特征在于，

經(jīng)檢查被判斷為合格品的半導(dǎo)體芯片粘接于上述支承基板。