[發(fā)明專利]攝像裝置的制造方法以及半導(dǎo)體裝置的制造方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201380028577.7 | 申請(qǐng)日: | 2013-04-04 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN104380465B | 公開(kāi)(公告)日: | 2018-02-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 五十嵐考俊;藤森紀(jì)幸;吉田和洋 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 奧林巴斯株式會(huì)社 |
| 主分類號(hào): | H01L27/14 | 分類號(hào): | H01L27/14;H01L23/12;H01L23/28 |
| 代理公司: | 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人: | 劉新宇,張會(huì)華 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 暫無(wú)信息 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 攝像 裝置 制造 方法 以及 半導(dǎo)體 | ||
1.一種攝像裝置的制造方法,其特征在于,該攝像裝置的制造方法包括:
切斷攝像芯片基板而制作多個(gè)攝像芯片的工序,該攝像芯片基板具有第1主面和與上述第1主面相對(duì)的第2主面,多個(gè)受光部形成于上述第1主面,在各個(gè)受光部的周圍形成有電極焊盤;
經(jīng)檢查判斷為合格品的攝像芯片的上述第1主面借助由透明的樹(shù)脂形成的粘接層粘接于大小和形狀中的至少任意一項(xiàng)與上述攝像芯片基板的大小和形狀不同的透明的支承基板而制作接合晶圓的工序;
利用密封構(gòu)件將粘接于上述接合晶圓的上述多個(gè)攝像芯片之間填充的工序;
加工工序,其包括:將上述接合晶圓自上述多個(gè)攝像芯片的第2主面?zhèn)燃庸ざ鴮⑸鲜鼋雍暇A的厚度減薄,并使加工面平坦化的工序,以及形成與上述電極焊盤連接的貫穿布線的工序;
在上述第2主面上形成借助上述貫穿布線與上述電極焊盤連接的外部連接電極的工序;以及
切斷上述接合晶圓而單片化的工序,
上述密封構(gòu)件的樹(shù)脂與上述粘接層的上述透明的樹(shù)脂相同,并且在作為絕緣體的上述密封構(gòu)件的上述樹(shù)脂中混合有由非導(dǎo)電性的顏料形成的遮光材料。
2.一種半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括:
切斷半導(dǎo)體芯片基板而制作多個(gè)半導(dǎo)體芯片的工序,該半導(dǎo)體芯片基板具有第1主面和與上述第1主面相對(duì)的第2主面,多個(gè)半導(dǎo)體電路部形成于上述第1主面,在各個(gè)半導(dǎo)體電路部的周圍形成有電極焊盤;
將半導(dǎo)體芯片的上述第1主面借助由透明的樹(shù)脂形成的粘接層粘接于支承基板而制作接合晶圓的工序;
利用密封構(gòu)件將粘接于上述接合晶圓的上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片之間填充的工序;
將上述接合晶圓自上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片的第2主面?zhèn)燃庸さ墓ば颍灰约?/p>
切斷上述接合晶圓的工序,
上述密封構(gòu)件的樹(shù)脂與上述粘接層的上述透明的樹(shù)脂相同,并且在作為絕緣體的上述密封構(gòu)件的上述樹(shù)脂中混合有由非導(dǎo)電性的顏料形成的遮光材料。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
經(jīng)檢查被判斷為合格品的半導(dǎo)體芯片粘接于上述支承基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
上述加工的工序包括:將上述接合晶圓的厚度減薄加工而使加工面平坦化的工序;以及在上述第2主面上形成與上述電極焊盤連接的外部連接電極的工序。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
上述加工的工序在形成上述外部連接電極的工序之前包括形成將上述電極焊盤與上述外部連接電極連接起來(lái)的貫穿布線的工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
上述支承基板和上述半導(dǎo)體芯片基板的大小和形狀中的至少任意一項(xiàng)不同。
7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片是由俯視尺寸和厚度中的至少任意一項(xiàng)不同的多個(gè)半導(dǎo)體芯片構(gòu)成的。
8.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
在上述粘接的工序中,上述第2主面粘接于第2支承基板的上述多個(gè)半導(dǎo)體芯片一并粘接于上述支承基板。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,包括:
沿著切斷上述接合晶圓時(shí)的切割線,在粘接上述半導(dǎo)體電路部之前在上述支承基板部形成槽的工序。
10.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
該半導(dǎo)體裝置的制造方法包括將上述粘接層圖案化的工序,
借助被圖案化的粘接層使上述半導(dǎo)體芯片粘接于上述支承基板。
11.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體裝置的制造方法,其特征在于,
上述半導(dǎo)體電路是固態(tài)攝像元件的受光部,
上述支承基板以及上述粘接層是透明的。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無(wú)源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的無(wú)源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對(duì)紅外輻射、光、較短波長(zhǎng)的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過(guò)這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢(shì)壘或者表面勢(shì)壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的
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