[發明專利]基座有效
| 申請號: | 201380028573.9 | 申請日: | 2013-06-03 |
| 公開(公告)號: | CN104380451B | 公開(公告)日: | 2017-06-06 |
| 發明(設計)人: | T·科恩邁爾;M·維斯基興;S·施蒂爾 | 申請(專利權)人: | KGT石墨科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67;H01L21/673 |
| 代理公司: | 北京三友知識產權代理有限公司11127 | 代理人: | 王小東 |
| 地址: | 德國溫*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基座 | ||
1.一種由石墨或碳纖維復合物制成并且用于保護性氣體真空高溫處理設備的處理的基座,所述基座被構造成隧道狀,并且所述基座的兩個相對端部中的每個端部均能被蓋件閉合,所述基座(1)由多個模塊(2)構成,所述多個模塊沿縱向相互并排布置成連續隧道,其特征在于,所述多個模塊以形狀鎖合和力鎖合的方式相互牢固地連接,具有平坦化的管狀橫截面的各模塊(2)均由管狀部分(3)和旋擰至該管狀部分的底板(4)構成,并且兩個相鄰模塊(2)之間的端面(5)均以形狀鎖合的方式相互連接,相鄰模塊(2)的所述底板(4)在所述底板的外表面中設置有凹部(9),所述凹部(9)從一個相鄰模塊延伸至另一相鄰模塊,并且石墨連接元件(6)以形狀鎖合的方式齊平地接合到所述凹部(9)中,所述石墨連接元件(6)呈具有半圓形橫截面的雙T舌槽式連接元件的形式,并且模塊(2)的所有組件均是從相同的毛坯件切割而成的。
2.根據權利要求1所述的基座,其特征在于,相鄰模塊(2)之間的形狀鎖合是通過異型的端面(5)實現的,其中一個端面的形狀與另一個端面的形狀是互補的。
3.根據權利要求2所述的基座,其特征在于,作為所述異型的端面(5)的替代或補充,在所述端面(5)中引入了孔,銷接合在所述孔中以形成所述形狀鎖合。
4.根據權利要求3所述的基座,其特征在于,相鄰模塊(2)的所述底板(4)設置有凹部(9),所述凹部(9)在模塊與模塊之間延伸,并且連接元件(6)以形狀鎖合的方式齊平地接合到所述凹部(9)中。
5.根據權利要求1至4中的任一項所述的基座,其特征在于,各模塊(2)的所述管狀部分(3)均由兩個或更多個部段(10)構成。
6.根據權利要求1所述的基座,其特征在于,能夠相互并排布置的所述模塊(2)具有相同或不同的長度。
7.根據權利要求1所述的基座,其特征在于,在相鄰模塊(2)的所述端面(5)之間引入了密封材料,所述密封材料諸如是膜或石墨線密封件。
8.根據權利要求1所述的基座,其特征在于,相鄰模塊(2)通過石墨水泥或石墨粘合劑彼此牢固地連接。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于KGT石墨科技有限公司,未經KGT石墨科技有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201380028573.9/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:制造具有外部連接器的電子卡的方法以及該外部連接器
- 下一篇:改良的共振器
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





