[發(fā)明專利]用于集成電路中的雙向ESD保護的設備和方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380028342.8 | 申請日: | 2013-05-30 |
| 公開(公告)號: | CN104335348B | 公開(公告)日: | 2019-06-04 |
| 發(fā)明(設計)人: | A·A·薩爾曼;F·法比茲;A·M·康坎農;G·博塞利 | 申請(專利權)人: | 德克薩斯儀器股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L21/77;H02H9/04 |
| 代理公司: | 北京紀凱知識產權代理有限公司 11245 | 代理人: | 趙蓉民 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 美國;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 集成電路 中的 雙向 esd 保護 設備 方法 | ||
1.一種集成電路,包括:
襯底;
靜電放電保護電路,即ESD保護電路,其包括:
第一端子;
第二端子;以及
多個開關支線,其并聯耦合在所述第一端子和所述第二端子之間,所述多個開關支線包括第一開關支線和第二開關支線,所述第一開關支線和所述第二開關支線中的每一個包括:
第一電流開關,其為第一可控硅整流器即第一SCR,所述第一SCR具有作為第一電流供給節(jié)點的第一陽極和作為第一電流集取節(jié)點的第一陰極,所述第一電流供給節(jié)點電耦合至所述第一端子;以及
第二電流開關,其為第二SCR,所述第二SCR具有作為第二電流供給節(jié)點的第二陽極和作為第二電流集取節(jié)點的第二陰極,所述第二電流供給節(jié)點電耦合至所述第二端子,并且所述第二電流集取節(jié)點耦合至同一開關支線的所述第一電流集取節(jié)點,其中所述第一開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點沒有電耦合,并且其中所述第一開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點沒有電耦合。
2.一種集成電路,包括:
襯底;
靜電放電保護電路,即ESD保護電路,其包括:
第一端子;
第二端子;以及
多個開關支線,其并聯耦合在所述第一端子和所述第二端子之間,所述多個開關支線包括第一開關支線和第二開關支線,所述第一開關支線和所述第二開關支線中的每一個包括:
第一電流開關,其為第一金屬氧化物半導體晶體管即第一MOS晶體管,所述第一MOS晶體管具有作為第一電流供給節(jié)點的第一源極節(jié)點和作為第一電流集取節(jié)點的第一漏極節(jié)點,所述第一電流供給節(jié)點電耦合至所述第一端子;以及
第二電流開關,其為第二MOS晶體管,所述第二MOS晶體管具有作為第二電流供給節(jié)點的第二源極節(jié)點和作為第二電流集取節(jié)點的第二漏極節(jié)點,所述第二電流供給節(jié)點電耦合至所述第二端子,并且所述第二電流集取節(jié)點耦合至同一開關支線的所述第一電流集取節(jié)點,其中所述第一開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點沒有電耦合,并且其中所述第一開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點沒有電耦合。
3.一種集成電路,包括:
襯底;
靜電放電保護電路,即ESD保護電路,其包括:
第一端子;
第二端子;以及
多個開關支線,其并聯耦合在所述第一端子和所述第二端子之間,所述多個開關支線包括第一開關支線和第二開關支線,所述第一開關支線和所述第二開關支線中的每一個包括:
第一電流開關,其為第一雙極晶體管,所述第一雙極晶體管具有作為第一電流供給節(jié)點的第一發(fā)射極和作為第一電流集取節(jié)點的第一集電極,所述第一電流供給節(jié)點電耦合至所述第一端子;以及
第二電流開關,其為第二雙極晶體管,所述第二雙極晶體管具有作為第二電流供給節(jié)點的第二發(fā)射極和作為第二電流集取節(jié)點的第二集電極,所述第二電流供給節(jié)點電耦合至所述第二端子,并且所述第二電流集取節(jié)點耦合至同一開關支線的所述第一電流集取節(jié)點,其中所述第一開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第一電流集取節(jié)點沒有電耦合,并且其中所述第一開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點與所述第二開關支線中的所述第二電流集取節(jié)點沒有電耦合。
4.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述第二端子電耦合至所述集成電路的接地節(jié)點。
5.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述第二電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對于所述第二端子升高到高于30伏時觸發(fā);以及所述第一電流開關被配置為當所述第一端子上的所述電勢相對于所述第二端子降低到低于30伏時觸發(fā)。
6.根據權利要求1所述的集成電路,其中所述第二電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對于所述第二端子升高到高于第一電壓幅值時觸發(fā);并且所述第一電流開關被配置為當所述第一端子上的電勢相對于所述第二端子降低到低于第二電壓幅值時觸發(fā),所述第二電壓幅值在所述第一電壓幅值的5伏內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





