[發明專利]半導體裝置有效
| 申請號： | 201380028160.0 | 申請日： | 2013-05-20 |
| 公開（公告）號： | CN104380473B | 公開（公告）日： | 2017-10-13 |
| 發明（設計）人： | 山崎舜平;肥塚純一;島行德;德永肇 | 申請（專利權）人： | 株式會社半導體能源研究所 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;C23C14/34;G02F1/1368;H01L51/50;H05B33/14 |
| 代理公司： | 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所11038 | 代理人： | 吳宗頤 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 裝置 | ||
1.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣層；
所述柵極絕緣層上的第一氧化物半導體層，該第一氧化物半導體層包含銦及鎵；
所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層，該第二氧化物半導體層包含銦及鎵；
所述第二氧化物半導體層上的源電極層；以及
所述第二氧化物半導體層上的漏電極層，
其中，在所述第一氧化物半導體層中所述銦的含量大于所述鎵的含量，
在所述第二氧化物半導體層中所述銦的含量為所述鎵的含量以下，
所述第二氧化物半導體層包含所述源電極層和所述漏電極層的構成元素中的至少一種，
并且，所述第二氧化物半導體層是結晶氧化物半導體層。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述源電極層及所述漏電極層包含銅,
并且，所述第二氧化物半導體層中的所述源電極層和所述漏電極層的構成元素是銅。
3.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述柵極絕緣層包括氮化硅膜。
4.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述第一氧化物半導體層及所述第二氧化物半導體層分別包含鋅。
5.根據權利要求1所述的半導體裝置，
其中，所述半導體裝置是顯示裝置。
6.一種半導體裝置，包括：
柵電極層；
所述柵電極層上的柵極絕緣層；
所述柵極絕緣層上的第一氧化物半導體層，該第一氧化物半導體層包含銦及鎵；
所述第一氧化物半導體層上的第二氧化物半導體層，該第二氧化物半導體層包含銦及鎵；
所述第二氧化物半導體層上的第三氧化物半導體層，該第三氧化物半導體層包含銦及鎵；
電接觸于所述第二氧化物半導體層的源電極層；以及
電接觸于所述第二氧化物半導體層的漏電極層，
其中，在所述第一氧化物半導體層中所述銦的含量為所述鎵的含量以下，
在所述第二氧化物半導體層中所述銦的含量大于所述鎵的含量，
在所述第三氧化物半導體層中所述銦的含量為所述鎵的含量以下，
所述第三氧化物半導體層包含所述源電極層和所述漏電極層的構成元素中的至少一種，
并且，所述第三氧化物半導體層是結晶氧化物半導體層。
7.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述源電極層是在所述第三氧化物半導體層上，
并且，所述漏電極層是在所述第三氧化物半導體層上。
8.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述源電極層及所述漏電極層包含銅，
并且，所述第三氧化物半導體層中的所述源電極層和所述漏電極層的構成元素是銅。
9.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述柵極絕緣層包括氮化硅膜。
10.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述第一氧化物半導體層、所述第二氧化物半導體層及所述第三氧化物半導體層分別包含鋅。
11.根據權利要求6所述的半導體裝置，
其中，所述半導體裝置是顯示裝置。
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