[發(fā)明專利]清洗用液態(tài)組合物、半導(dǎo)體元件的清洗方法、以及半導(dǎo)體元件的制造方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380028068.4
• 申請(qǐng)日: 2013-06-06
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104662643A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-05-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 島田憲司;安部幸次郎;吉田寬史;大戶秀
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三菱瓦斯化學(xué)株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/304
• 分類號(hào): H01L21/304;G03F7/42;H01L21/027;H01L21/768
• 代理公司: 北京林達(dá)劉知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11277
• 代理人: 劉新宇;李茂家

1.一種清洗用液態(tài)組合物，其用于半導(dǎo)體元件的制造，所述清洗用液態(tài)組合物包含：

0.05～25質(zhì)量％的氫氧化季銨、

0.001～1.0質(zhì)量％的氫氧化鉀、

5～85質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑、以及，

0.0005～10質(zhì)量％的吡唑類。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的清洗用液態(tài)組合物，其中，所述氫氧化季銨為選自由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨和膽堿組成的組中的1種以上。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的清洗用液態(tài)組合物，其中，所述水溶性有機(jī)溶劑為選自由下述物質(zhì)組成的組中的1種以上：選自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇類，選自二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單甲醚和二丙二醇單丙醚的二醇醚類，選自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺類，二甲基亞砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。

4.根據(jù)權(quán)利要求1～3中任一項(xiàng)所述的清洗用液態(tài)組合物，其中，所述吡唑類為選自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羥基吡唑組成的組中的1種以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1～4中任一項(xiàng)所述的清洗用液態(tài)組合物，其中，所述清洗用液態(tài)組合物還包含水。

6.根據(jù)權(quán)利要求1～5中任一項(xiàng)所述的清洗用液態(tài)組合物，其中，所述清洗用液態(tài)組合物不含除所述吡唑類以外的唑類。

7.一種半導(dǎo)體元件的清洗方法，其包括以下的工序：

在基板上從下到上依次層疊有機(jī)硅氧烷系薄膜和光致抗蝕層的工序，所述基板具有：低介電常數(shù)層間絕緣膜，以及，銅布線和/或銅合金布線；

對(duì)所述光致抗蝕層實(shí)施選擇性的曝光和顯影處理，形成光致抗蝕圖案的工序；

將所述抗蝕圖案作為掩模，對(duì)有機(jī)硅氧烷系薄膜、低介電常數(shù)層間絕緣膜實(shí)施干式蝕刻處理的工序；以及，

使用清洗用液態(tài)組合物，去除有機(jī)硅氧烷系薄膜、干式蝕刻殘?jiān)凸庵驴刮g層的工序，

其中，所述清洗用液態(tài)組合物包含：

0.05～25質(zhì)量％的氫氧化季銨、

0.001～1.0質(zhì)量％的氫氧化鉀、

5～85質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑、以及，

0.0005～10質(zhì)量％的吡唑類。

8.一種半導(dǎo)體元件的清洗方法，其包括以下的工序：

在基板上從下到上依次層疊硬掩模、有機(jī)硅氧烷系薄膜和光致抗蝕層的工序，所述基板具有：低介電常數(shù)層間絕緣膜，以及，銅布線和/或銅合金布線；

對(duì)所述光致抗蝕層實(shí)施選擇性的曝光和顯影處理，形成光致抗蝕圖案的工序；

將所述光致抗蝕圖案作為掩模，對(duì)硬掩模、有機(jī)硅氧烷系薄膜和低介電常數(shù)層間絕緣膜實(shí)施干式蝕刻處理的工序；以及，

使用清洗用液態(tài)組合物，去除有機(jī)硅氧烷系薄膜、干式蝕刻殘?jiān)凸庵驴刮g層的工序，

其中，所述清洗用液態(tài)組合物包含：

0.05～25質(zhì)量％的氫氧化季銨、

0.001～1.0質(zhì)量％的氫氧化鉀、

5～85質(zhì)量％的水溶性有機(jī)溶劑、以及，

0.0005～10質(zhì)量％的吡唑類。

9.根據(jù)權(quán)利要求7或8所述的半導(dǎo)體元件的清洗方法，其中，所述氫氧化季銨為選自由氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、氫氧化四丙基銨、氫氧化四丁基銨和膽堿組成的組中的1種以上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7～9中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的清洗方法，其中，所述水溶性有機(jī)溶劑為選自由下述物質(zhì)組成的組中的1種以上：選自乙醇、2-丙醇、乙二醇、丙二醇、甘油、二乙二醇、木糖醇和山梨糖醇的醇類，選自二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇單丁醚、二乙二醇二甲基醚、二丙二醇單甲醚和二丙二醇單丙醚的二醇醚類，選自N,N-二甲基甲酰胺、N,N-二甲基乙酰胺和N-甲基-2-吡咯烷酮的酰胺類，二甲基亞砜，以及1,3-二甲基-2-咪唑烷酮。

11.根據(jù)權(quán)利要求7～10中任一項(xiàng)所述的半導(dǎo)體元件的清洗方法，其中，所述吡唑類為選自由吡唑、3,5-二甲基吡唑、3-甲基-5-吡唑啉酮和3-氨基-5-羥基吡唑組成的組中的1種以上。