[發明專利]包括磁致伸縮材料的光學元件

有效

• 申請號: 201380028021.8
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN104335122A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: P.休伯;O.迪爾
• 申請（專利權）人: 卡爾蔡司SMT有限責任公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20;G02B26/08;G02B27/00;G02B17/06;G21K1/06
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 邱軍

1.光學元件(21)，包括：

基板(30)；

反射涂層(31)；以及

包含磁致伸縮材料的至少一個活性層(34,34a,34b)，其中，尤其對于EUV輻射的反射，所述反射涂層(31)包括多個層對(32)，所述多個層對具有由高折射率層材料和低折射率層材料構成的交替層(33a,33b)，其中，所述至少一個活性層(34)形成在所述反射涂層(31)內。

2.如權利要求1所述的光學元件，其中，所述反射涂層(31)具有數量N個交替層(33a,33b)，所述交替層的第一個布置成鄰近所述基板(30)，所述交替層的第N個布置成鄰近面向環境的表面(38)，其中，所述活性層(34)布置在第一和第N-5層(33a,33b)之間。

3.如權利要求1或2所述的光學元件，其中，所述反射涂層(31)具有數量N個交替層(33a,33b)，所述交替層的第一個布置成鄰近所述基板(30)，所述交替層的第N個布置成鄰近面向所述環境的表面(38)，其中，所述活性層(34)布置在第N-5層和第N層之間。

4.如權利要求1至3任一項所述的光學元件，其中，所述活性層(34)的厚度(d)在0.5nm和7nm之間，優選地在2nm和4nm之間。

5.如上述權利要求任一項所述的光學元件，其中，至少一個活性層(34)設置在所有層對(32)中。

6.如權利要求5所述的光學元件，其中，相應層對(32)的所述至少一個活性層(34)的厚度(d)最大為2.5nm，優選最大為1.0nm。

7.光學元件(21)，包括：

基板(30)；

反射涂層(31)；以及

包括磁致伸縮材料的至少一個活性層(34,34a,34b)，其中，

所述光學元件(21)包括至少一個第一活性層(34a)和至少一個第二活性層(34b)，所述至少一個第一活性層包括具有正磁致伸縮的材料，所述至少一個第二活性層包括具有負磁致伸縮的材料，其中，所述活性層(34a,34b)的層厚度(d1,d2)和層材料選擇成使得通過磁場(36,36b)產生的機械應力變化或活性層(34a,34b)長度變化彼此相互補償。、

8.如上述權利要求任一項所述的光學元件，包括至少一個可磁化層(35)，所述至少一個可磁化層包括永磁材料，以在所述至少一個活性層(34,34a,34b)中產生磁場(36,36b)。

9.如權利要求8所述的光學元件，其中，所述可磁化層(35)的永磁材料從包括鐵氧體、釤-鈷(Sm-Co)、鉍化錳、釹鐵硼(NdFeB)和鋼的組中選擇。

10.如權利要求8或9所述的光學元件，其中，所述永磁材料是磁致伸縮的。

11.如上述權利要求任一項所述的光學元件，其中，所述活性層(34,34a,34b)和/或所述可磁化層(35)布置在所述反射涂層(31)和所述基板(30)之間。

12.如上述權利要求任一項所述的光學元件，其中，所述活性層(34,34a,34b)的磁致伸縮材料從包括SeF₂、TbFe₂、DyFe₂、Terfenol-D(Tb_(x)Dy_(1-x)Fe₂)、galfenol(Ga_(x)Fe_(1-x))、Ni、Fe、Co、Gd、Er、SmFe₂、Samfenol-D和它們的合成物的組中選擇。

13.光學裝置(40)，尤其是EUV光刻設備，包括至少一個根據上述權利要求所述的光學元件(15,21)。

14.如權利要求13所述的光學裝置，還包括：用于在所述至少一個活性層(34)中產生磁場(36；36b)的場產生裝置(17a,17b)，所述磁場尤其能夠以取決于位置的方式變化。

15.如權利要求14所述的光學裝置，其中，所述場產生裝置(17a,17b)設計用于通過產生周期變化的磁場(36,26b)感應加熱所述至少一個活性層(34,34a,34b)和/或所述至少一個可磁化層(35)。

16.如權利要求15所述的光學裝置，其中，所述場產生裝置(17a,17b)設計用于產生磁場，所述磁場能夠以高于20kHz的頻率(f)周期變化。