[發明專利]用于有機電子器件的基板有效
| 申請號: | 201380027979.5 | 申請日: | 2013-04-01 |
| 公開(公告)號: | CN104335381B | 公開(公告)日: | 2017-07-07 |
| 發明(設計)人: | 樸珉春;李淵槿;安庸植;金正斗;樸祥準;金甬男 | 申請(專利權)人: | 株式會社LG化學 |
| 主分類號: | H01L51/52 | 分類號: | H01L51/52;H05B33/22 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司11227 | 代理人: | 顧晉偉 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 有機 電子器件 | ||
1.一種用于有機電子器件的基板,包括:
基底層;
高折射層,其設置于所述基底層上,包括折射率為1.4以上的粘合劑,并包括折射率大于2.3的顆粒,所包括的所述顆粒的量為300重量份以下,相對于100重量份的所述粘合劑計;
置于所述基底層和所述高折射層之間并且接觸所述基底層和所述高折射層的散射層;以及
第一電極層,
其中所述高折射層的投影面積小于所述第一電極層的投影面積,且所述第一電極層形成于所述高折射層上和未形成所述高折射層的所述基底層上。
2.權利要求1所述的基板,其中,所述高折射層的表面——其與所述基底層相接觸的表面相對——的最大高度粗糙度為1μm以下。
3.權利要求1所述的基板,其中,所述高折射層的折射率在1.8至2.5的范圍內。
4.權利要求1所述的基板,其中,所述粘合劑的折射率是1.4以上且小于1.7。
5.權利要求4所述的基板,其中,所述高折射層包括的相對于100重量份所述粘合劑計的180至200重量份的所述顆粒。
6.權利要求1所述的基板,其中,所述粘合劑的折射率在1.7至2.0的范圍內。
7.權利要求6所述的基板,其中,所述高折射層包括相對于100重量份所述粘合劑計的80至150重量份的所述顆粒。
8.權利要求1所述的基板,其中,所述粘合劑是聚硅氧烷、聚酰胺酸或聚酰亞胺。
9.權利要求1所述的基板,其中,所述顆粒的平均粒徑在1nm到50nm的范圍內。
10.權利要求1所述的基板,其中,所述顆粒為金紅石型二氧化鈦。
11.權利要求1所述的基板,其中,所述高折射層還包括折射率為2.0至2.3的顆粒。
12.權利要求11所述的基板,其中,所述折射率為2.0至2.3的顆粒為銳鈦礦型二氧化鈦。
13.權利要求11所述的基板,其中,折射率大于2.3的顆粒的重量(A)與折射率為2.0至2.3的顆粒的重量(B)的比值(A/B)為0.5至1.5。
14.一種有機電子裝置,包括:
權利要求1所述的基板;
依次形成于所述基板上的有機層和第二電極層。
15.權利要求14所述的有機電子裝置,其中,所述有機層包括發光層。
16.一種照明裝置,其包括權利要求14所述的有機電子裝置。
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H01L51-00 使用有機材料作有源部分或使用有機材料與其他材料的組合作有源部分的固態器件;專門適用于制造或處理這些器件或其部件的工藝方法或設備
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H01L51-42 .專門適用于感應紅外線輻射、光、較短波長的電磁輻射或微粒輻射;專門適用于將這些輻射能轉換為電能,或者適用于通過這樣的輻射進行電能的控制
H01L51-50 .專門適用于光發射的,如有機發光二極管
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H01L51-54 .. 材料選擇





