[發明專利]太陽能電池用硅晶片及其制造方法

有效

• 申請號: 201380027688.6
• 申請日: 2013-05-30
• 公開（公告）號: CN104364913A
• 公開（公告）日: 2015-02-18
• 發明（設計）人: 阿部秀司;鈴木龍暢;大沼光男
• 申請（專利權）人: 日本化成株式會社
• 主分類號: H01L31/04
• 分類號: H01L31/04;H01L31/18
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 龍淳

1.一種太陽能電池用基板，其特征在于：

由具有通過濕法蝕刻形成的凹凸表面的多晶硅晶片構成，以下所定義的凹凸表面的立體表面粗糙度為2.0～4.0，

上述的立體表面粗糙度是使用激光顯微鏡KEYENCH公司生產的“VK-9700”，在測定時倍率3000倍、觀察視野6512μm²的條件下，測量多晶硅晶片的凹凸表面的表面積，用測得的值除以觀察視野而得到的值。

2.一種太陽能電池用基板的制造方法，其特征在于：

使用硫酸濃度55～85重量％、硝酸濃度4～35重量％、氫氟酸濃度2～10重量％、水分濃度2～18重量％，并且水/硫酸的重量比率在0.26以下的蝕刻劑，對多晶硅晶片的表面進行濕法蝕刻，

其中，上述濃度的合計量為100重量％。