[發(fā)明專利]用于漸逝模式電磁波空腔諧振器的各向同性蝕刻空腔

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380027622.7
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104335415A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發(fā)明（設計）人: 菲利普·賈森·斯蒂法諾;樸相俊;拉溫德拉·V·社諾伊
• 申請（專利權）人: 高通MEMS科技公司
• 主分類號: H01P1/208
• 分類號: H01P1/208;H01P7/06;H01P11/00
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 宋獻濤

1.一種裝置(11，40)，其包括漸逝模式電磁波空腔諧振器結構(100，1900，2100，2200)，所述結構包含：

各向同性蝕刻空腔部分(102，1902，2102，2202)，其包含空腔(106，1906a，2106a，2206)，所述空腔可操作以支持一或多個漸逝電磁波模式，所述空腔部分包含內(nèi)部空腔表面(230，240，242)和所述空腔的外圍周圍的配合表面(128，232)，所述內(nèi)部空腔表面具有位于其上的導電層(108)；

空腔平頂(104，120，1904，2104)，其與所述空腔部分一起布置以形成包含所述空腔的體積；以及

電容性調諧結構(110，1910，2110，2210)，其具有至少部分地位于所述體積內(nèi)以便支持所述一或多個漸逝電磁波模式的部分，所述調諧結構為導電的或具有位于其上的導電層，所述調諧結構的遠表面(114，122，1922，2122)和與其最靠近的表面分離一間隙距離，所述空腔諧振器結構的諧振電磁波模式至少部分地取決于所述間隙距離。

2.根據(jù)權利要求1所述的諧振器結構，其中所述空腔(106，1906a，2106a，2206)大體上為半球形。

3.根據(jù)權利要求1所述的諧振器結構，其中所述空腔(106，1906a，2106a，2206)大體上為橢圓形。

4.根據(jù)權利要求1所述的諧振器結構，其中所述空腔部分(102，1902，2102，2202)的所述內(nèi)部空腔表面包含：

第一近似平面內(nèi)部表面(240)，其平行于所述配合表面(128，232)；以及

第二內(nèi)部側表面(242)，其連接所述配合表面與所述第一平面內(nèi)部表面。

5.根據(jù)權利要求1所述的諧振器結構，其中所述空腔(106)包含第一空腔(234)和第二空腔(236)，所述第二空腔具有與所述第一空腔的配合表面(232a)共面的配合表面(232b)，所述第一空腔的圓周(238a)與所述第二空腔的圓周(238b)重疊。

6.根據(jù)任一前述權利要求所述的諧振器結構，其中所述調諧結構包含柱(110)，且其中所述柱從所述內(nèi)部空腔表面(230，240)的中心區(qū)向遠端延伸。

7.根據(jù)權利要求6所述的諧振器結構，其中所述柱(110)與所述空腔部分(102)一體式形成。

8.根據(jù)權利要求6或7所述的諧振器結構，其進一步包含柱頂部(112)，所述柱頂部處于所述柱(110)的遠端(114)處且具有比所述柱的對應寬度或半徑大的寬度或半徑。

9.根據(jù)權利要求1到5中任一權利要求所述的諧振器結構，其中所述調諧結構包含柱(1910)，且其中所述柱在所述空腔(1906a)上徑向或橫向延伸。

10.根據(jù)權利要求9所述的諧振器結構，其進一步包含定位于所述柱(1910)的遠端處的柱頂部(1912)，所述柱頂部具有比所述柱的對應寬度大的寬度且具有與所述內(nèi)部空腔表面(230，242)分離所述間隙距離的遠表面(1922)。

11.根據(jù)任一前述權利要求所述的諧振器結構，其中所述間隙距離為可調整的以動態(tài)地改變所述空腔諧振器結構(100，1900，2100，2200)的諧振頻率或模式。

12.根據(jù)任一前述權利要求所述的諧振器結構，其進一步包含一或多個調諧元件(124)，所述調諧元件布置于所述間隙距離內(nèi)且為可激活的以調整所述間隙距離的量值以實現(xiàn)所述空腔諧振器結構(100，1900，2100，2200)的所述諧振頻率或模式的所述改變。

13.根據(jù)權利要求12所述的諧振器結構，其中所述一或多個調諧元件(124)包含一或多個調諧元件陣列，每一個別調諧元件或調諧元件陣列分別可獨立于其它調諧元件或調諧元件陣列而選擇性激活。

14.根據(jù)權利要求12或13所述的諧振器結構，其中每一調諧元件(124)為可靜電或壓電激活的。

15.根據(jù)權利要求12到14中任一權利要求所述的諧振器結構，其中每一調諧元件(124)包含一或多個微機電系統(tǒng)MEMS。