[發(fā)明專利]半導(dǎo)體裝置Tj溫度的矯正、測(cè)量和控制

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380027610.4
• 申請(qǐng)日: 2013-05-01
• 公開（公告）號(hào): CN104335055B
• 公開（公告）日: 2017-06-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: D.哈南;E.雷德馬德;I.德羅爾
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 桑迪士克科技有限責(zé)任公司
• 主分類號(hào): G01R31/28
• 分類號(hào): G01R31/28;G01R31/26
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務(wù)所11105
• 代理人: 邱軍,焦玉恒

1.一種提供半導(dǎo)體裸芯的方法，包括：

(a)將多個(gè)溫度傳感器嵌入該半導(dǎo)體裸芯；

(b)掃描運(yùn)行中的該半導(dǎo)體裸芯中該多個(gè)溫度傳感器的一個(gè)或者多個(gè)，以確定該半導(dǎo)體裸芯的在一個(gè)或者多個(gè)位置的溫度是否超過規(guī)定溫度；

(c)確定該半導(dǎo)體裸芯的在一個(gè)或者多個(gè)位置的溫度超過規(guī)定溫度，其中該方法還包括：

(d)通過以下步驟構(gòu)造包括半導(dǎo)體裸芯的封裝體，減小超過規(guī)定溫度的一個(gè)或者多個(gè)位置對(duì)該半導(dǎo)體封裝體的影響：

將第一半導(dǎo)體裸芯安裝在第二半導(dǎo)體裸芯上，超過規(guī)定溫度運(yùn)行的該第一半導(dǎo)體裸芯的該一個(gè)或者多個(gè)位置懸置于該第二半導(dǎo)體裸芯的邊緣。

2.如權(quán)利要求1所述的方法，還包括，在超過規(guī)定溫度運(yùn)行的該半導(dǎo)體裸芯的該一個(gè)或者多個(gè)位置上增加散熱片至該半導(dǎo)體裸芯的步驟。

3.如權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括減小半導(dǎo)體裸芯時(shí)鐘速率的步驟。

4.如權(quán)利要求1或2所述的方法，還包括選擇性地減小關(guān)閉該半導(dǎo)體裸芯的一個(gè)或者多個(gè)組件，該一個(gè)或者多個(gè)組件被認(rèn)為引起該半導(dǎo)體裸芯的該一個(gè)或者多個(gè)位置超過規(guī)定溫度。

5.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中步驟(a)包括嵌入溫度傳感器陣列的步驟，溫度傳感器陣列包括第一數(shù)量的行和第二數(shù)量的列。

6.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中步驟(a)包括嵌入溫度傳感器陣列于預(yù)測(cè)比該裸芯的其它位置更熱的位置。

7.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述掃描該半導(dǎo)體裸芯中多個(gè)溫度傳感器中的一個(gè)或者多個(gè)的步驟(b)在該裸芯從裸芯的晶片上切下之后和在該裸芯安裝到基板上之前進(jìn)行。

8.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中所述掃描該半導(dǎo)體裸芯中多個(gè)溫度傳感器中的一個(gè)或者多個(gè)的步驟(b)在該裸芯安裝到基板上之后和在該基板被引線鍵合之前進(jìn)行。

9.如權(quán)利要求1或2所述的方法，其中該半導(dǎo)體裸芯是控制器裸芯。

10.一種在閃存存儲(chǔ)器封裝體中設(shè)置閃存存儲(chǔ)器裸芯和控制器裸芯的方法，包括：

(a)形成基板，所述基板形成有多個(gè)接觸墊和在該接觸墊和主機(jī)裝置之間傳輸信號(hào)的電耦合，該閃存存儲(chǔ)器封裝體與所述主機(jī)裝置通訊；

(b)將閃存存儲(chǔ)器裸芯和控制器裸芯安裝在該基板上，該閃存存儲(chǔ)器裸芯和控制器裸芯的每一個(gè)包括多個(gè)溫度傳感器；

(c)在該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯運(yùn)行時(shí)，掃描該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯中的多個(gè)溫度傳感器中的一個(gè)或者多個(gè)，以提供在該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯兩者內(nèi)的溫度的三維熱圖，該三維熱圖用于確定該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯中的在一個(gè)或者多個(gè)位置的溫度是否超過該閃存存儲(chǔ)器裸芯和/或該控制器裸芯的規(guī)定溫度；以及

(d)確定該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯的在一個(gè)或者多個(gè)位置的溫度超過規(guī)定溫度，其中該方法還包括：

(e)通過以下步驟構(gòu)造包括該閃存存儲(chǔ)器裸芯和該控制器裸芯的該閃存存儲(chǔ)器封裝體，減小超過規(guī)定溫度的一個(gè)或者多個(gè)位置對(duì)該閃存存儲(chǔ)器封裝體的影響：

將該控制器裸芯安裝在該閃存存儲(chǔ)器裸芯上，超過規(guī)定溫度運(yùn)行的該控制器裸芯的該一個(gè)或者多個(gè)位置懸置于該閃存存儲(chǔ)器裸芯的邊緣。

11.如權(quán)利要求10所述的方法，其中該控制器裸芯中的該溫度傳感器包括溫度傳感器陣列，該溫度傳感器陣列包括第一數(shù)量的行和第二數(shù)量的列。

12.如權(quán)利要求10或11所述的方法，其中該控制器裸芯中的該溫度傳感器包括在預(yù)測(cè)比該控制器裸芯的其它位置更熱的位置的溫度傳感器陣列。