[發明專利]覆晶接合器以及覆晶接合方法有效
| 申請號: | 201380027231.5 | 申請日: | 2013-09-20 |
| 公開(公告)號: | CN104335336B | 公開(公告)日: | 2017-03-15 |
| 發明(設計)人: | 瀬山耕平 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司11205 | 代理人: | 陶敏,臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 接合 以及 方法 | ||
1.一種覆晶接合器,其包括:
反轉機構,使半導體芯片反轉;
接合工具,自上述反轉機構接收已由上述反轉機構反轉的上述半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板;以及
冷卻機構,對上述反轉機構進行冷卻。
2.根據權利要求1所述的覆晶接合器,其中上述反轉機構包括保持經反轉的上述半導體芯片的保持構件,
上述冷卻機構在上述接合工具接收上述半導體芯片之前預先將上述保持構件的溫度冷卻至規定的溫度。
3.根據權利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持構件的熱容大于上述接合工具的熱容。
4.根據權利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持構件為將上述半導體芯片在吸附并反轉的狀態下交付至上述接合工具的吸附反轉夾套。
5.根據權利要求3所述的覆晶接合器,其中上述保持構件為將上述半導體芯片在吸附并反轉的狀態下交付至上述接合工具的吸附反轉夾套。
6.根據權利要求2所述的覆晶接合器,其中上述保持構件為使上述半導體芯片在反轉的狀態下移動,且將上述半導體芯片在反轉的狀態下交付至上述接合工具的移送平臺。
7.根據權利要求3所述的覆晶接合器,其中上述保持構件為使上述半導體芯片在反轉的狀態下移動,且將上述半導體芯片在反轉的狀態下交付至上述接合工具的移送平臺。
8.根據權利要求2至7中任一項所述的覆晶接合器,其中上述冷卻機構對上述保持構件的內表面或外表面進行冷卻。
9.根據權利要求2至7中任一項所述的覆晶接合器,其中上述冷卻機構包括:
基體部;以及
冷卻構件,包含接地板及散熱構件,上述接地板具有上述保持構件的表面接地的接地面,上述散熱構件安裝在上述接地板;且
上述冷卻構件藉由仿照上述保持構件的表面的方向的方式而可以改變上述接地面的方向的支撐機構而支撐在上述基體部。
10.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其中上述冷卻構件的熱容大于上述保持構件的熱容。
11.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其中上述散熱構件安裝在上述接地板的接地面的相反側的面。
12.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其中上述散熱構件為散熱片,且
包括對上述散熱片進行冷卻的冷卻風扇。
13.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其中上述支撐機構以繞沿上述接地面的第一軸、及沿上述接地面且與上述第一軸正交的第二軸這2個軸旋轉自如的方式將上述接地板支撐于上述基體部。
14.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其包括冷卻噴嘴,設置在上述基體部,且對表面接地于上述接地面的上述保持構件噴出冷卻空氣。
15.根據權利要求9所述的覆晶接合器,其中上述接地板的上述接地面在上述保持構件的上述表面接地時,自上述保持構件向上述接地板產生熱傳導。
16.一種覆晶接合方法,其包括:
準備覆晶接合器的步驟,上述覆晶接合器包括:反轉機構,使半導體芯片反轉;接合工具,自上述反轉機構接收已由上述反轉機構反轉的上述半導體芯片并將上述半導體芯片接合于基板;以及冷卻機構,對上述反轉機構進行冷卻;以及
冷卻步驟,在上述接合工具接收上述半導體芯片之前預先藉由上述冷卻機構將上述保持構件的溫度冷卻至規定的溫度。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





