[發明專利]聚合物共混物及相關的光電子器件

有效

• 申請號: 201380026911.5
• 申請日: 2013-03-22
• 公開（公告）號: CN104321895B
• 公開（公告）日: 2017-03-22
• 發明（設計）人: M·椎斯;潘華龍;陳志華;呂少峰;A·切蒂
• 申請（專利權）人: 天光材料科技股份有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01L51/42
• 代理公司: 北京邦信陽專利商標代理有限公司11012
• 代理人: 王燕

1.光電器件，其包含第一電極、第二電極和置于所述第一和第二電極之間的光活性層，所述光活性層包含聚合物-聚合物共混物半導體材料，所述聚合物-聚合物共混物半導體材料包含電子供體聚合物和電子受體聚合物，其中所述電子受體聚合物為其主鏈中包含芳族稠環二酰亞胺單元的共聚物，且其中所述電子供體聚合物為在其主鏈中包含一個或多個噻吩基或噻吩基單元和至少一個缺電子單元的共聚物。

2.如權利要求1所述的器件，其中所述電子受體聚合物由式1或2表示：

其中：

π-1和π-1'相同或不同，且獨立地為任選地被取代的稠環部分；

R¹和R^1'相同或不同，且獨立地選自由以下組成的組：C_1-30烷基基團、C_2-30烯基基團、C_1-30鹵代烷基基團、C_6-20芳基基團和5-14元雜芳基基團，其中所述C_6-20芳基基團和所述5-14元雜芳基基團任選地被C_1-30烷基基團、C_2-30烯基基團或C_1-30鹵代烷基基團取代；

M^a和M^a'相同或不同，且獨立地為包含一個或多個共軛部分的重復單元，其不包括萘嵌苯二酰亞胺；

p和q獨立地為實數，其中0.1≤p≤0.9，0.1≤q≤0.9，且p和q的和為約1；且

n為2至5000范圍內的整數；

條件是以下中至少一個為真：(a)π-1'與π-1不同，(b)R^1'與R¹不同，或(c)M^a'與M^a不同。

3.如權利要求2所述的器件，其中π-1和π-1'獨立地選自由以下組成的組：

4.如權利要求2所述的器件，其中所述電子受體聚合物由式3或4表示：

其中：

R'和R″相同或不同，且獨立地選自由以下組成的組：H、F、Cl、–CN和–L–R，其中L在每次出現時獨立地選自由以下組成的組：-O-、-S-、–C(O)、–C(O)O–和共價鍵；且R在每次出現時獨立地選自由以下組成的組：C_6-20烷基基團、C_6-20烯基基團和C_6-20鹵代烷基基團；

m和m'獨立地為1、2、3、4、5或6；且

π-1、π-1'、R¹、R^1'、p、和q如權利要求5中所定義。

5.如權利要求2所述的器件，其中所述電子受體聚合物由式5、6、7或8表示：

其中R¹、R^1'、p、q、和n如權利要求5中所定義。

6.如權利要求2所述的器件，其中R¹和R^1'選自由以下組成的組：支鏈的C_3-20烷基基團、支鏈的C_4-20烯基基團和支鏈的C_3-20鹵代烷基基團。

7.如權利要求6所述的器件，其中R¹和R^1'選自由以下組成的組：

8.如權利要求1所述的器件，其中所述電子供體聚合物具有由式9所表示的交替的推拉結構：

其中所述供體亞單元(D)包含至少一個任選地被一個或多個供電子基團和/或至少一個任選地被取代的富電子8-20元雜芳基基團取代的噻吩基或噻吩并噻吩基基團；且所述受體亞單元(A)包含至少一個被一個或多個吸電子基團和/或至少一個任選地被取代的缺電子8-20元雜芳基基團取代的噻吩基或噻吩并噻吩基基團。