[發明專利]用于處理單分子的設備的制造方法

有效

• 申請號: 201380026733.6
• 申請日: 2013-03-14
• 公開（公告）號: CN104350420B
• 公開（公告）日: 2018-11-20
• 發明（設計）人: P·J·范德扎格;E·佩特斯;R·科萊;F·C·M·J·M·范德爾夫特
• 申請（專利權）人: 皇家飛利浦有限公司
• 主分類號: G03F7/00
• 分類號: G03F7/00;B82Y15/00;G01N33/487
• 代理公司: 永新專利商標代理有限公司 72002
• 代理人: 蔡洪貴

1.一種用于制造用于處理單分子(M)的設備(100、200、300、400)的方法，所述方法包括下述步驟：

a)提供“處理層”(PL、PL1、PL2)；

b)將自組裝抗蝕劑(155、355、356、357、455、456)沉積在所述處理層上，并使其自組裝成兩個相(155a、155b、355a、355b、356a、356b、357a、357b、455a、455b、456a、456b)的圖案；

c)選擇性地移除所述自組裝抗蝕劑的一個相(155a、355a、356a、357a、455a、456a)；

d)通過剩余的自組裝抗蝕劑(155b、355b、356b、357b、455b、456b)的掩膜在所述處理層(PL、PL1、PL2)中產生至少一個孔隙(A、Al、A2、A3)；

其中，步驟b)、c)和d)分別對第一處理層(PL1)和第二處理層(PL2)執行了兩次。

2.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述方法包括下述額外的步驟：

e)移除剩余的自組裝抗蝕劑(155b、355b、356b、357b、455b、456b)。

3.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述處理層(PL、PL1、PL2)在所述自組裝抗蝕劑(155、355、356、357、455、456)的沉積之前被預處理，以影響所得的相(155a、155b、355a、355b、356a、356b、357a、357b、455a、455b、456a、456b)的圖案。

4.根據權利要求3所述的方法，

其特征在于，所述預處理包括主抗蝕劑(151、351、352、353、451、452)的沉積及其圖案化。

5.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述第二處理層(PL2)包括所述第一處理層(PL1)。

6.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，在第一次執行和第二次執行中施加的所述自組裝抗蝕劑(355、356、357、455、456)的圖案在對齊和/或幾何形狀上不同。

7.根據權利要求6所述的方法，

其特征在于，所述圖案中的每一個都包括一個相的條紋，其中不同圖案的條紋彼此傾斜。

8.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述自組裝抗蝕劑(155、355、356、357、455、456)包括嵌段共聚物。

9.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述處理層包括非傳導性子層(110、210、310、410)或材料和/或傳導性子層(120、220、320、420)或材料。

10.根據權利要求9所述的方法，

其特征在于，所述傳導性子層(120、220、320、420)或材料包括石墨烯或由石墨烯衍生的材料。

11.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，將額外的層至少部分地沉積在所述處理層(PL、PL1、PL2)上。

12.根據權利要求1所述的方法，

其特征在于，所述處理層(PL、PL1、PL2)連接到電路(140)，通過所述電路能夠控制與穿過所述孔隙(A、Al、A2、A3)的分子(M)的交互作用。

13.根據權利要求4所述的方法，

其特征在于，主抗蝕劑(151、351、352、353、451、452)的圖案化通過光學光刻和/或電子束光刻來進行。

14.根據權利要求10所述的方法，

其特征在于，所述石墨烯或由石墨烯衍生的材料存在于少于五個的單層中。