[發明專利]充電構件、處理盒和電子照相設備

無效

• 申請號: 201380026708.8
• 申請日: 2013-05-15
• 公開（公告）號: CN104335124A
• 公開（公告）日: 2015-02-04
• 發明（設計）人: 倉地雅大;兒玉真隆;土井孝之;鈴村典子;益啟貴;黑田紀明
• 申請（專利權）人: 佳能株式會社
• 主分類號: G03G15/02
• 分類號: G03G15/02
• 代理公司: 北京魏啟學律師事務所 11398
• 代理人: 魏啟學

1.一種充電構件，其包括：基體、彈性層和表面層，其特征在于，所述表面層含有具有由以下通式(1)、化學式(2)和通式(3)表示的構成單元，并且具有Si-O-Ti鍵、Ti-O-M鍵和Si-O-M鍵的高分子化合物：

TiO₄/₂??化學式(2)

MO₅/₂??通式(3)

通式(3)中，M為選自由V、Nb和W組成的組的任意原子；和通式(1)中，R₁和R₂各自獨立地表示以下通式(4)-(7)的任意一種；

通式(4)-(7)中：R₃-R₇、R₁₀-R₁₄、R₁₉、R₂₀、R₂₅和R₂₆各自獨立地表示氫、具有1-4個碳原子的烷基、羥基、羧基或氨基；R₈、R₉、R₁₅-R₁₈、R₂₃、R₂₄和R₂₉-R₃₂各自獨立地表示氫或具有1-4個碳原子的烷基；R₂₁、R₂₂、R₂₇和R₂₈各自獨立地表示氫、具有1-4個碳原子的烷氧基或具有1-4個碳原子的烷基；n、m、l、q、s和t各自獨立地表示1以上且8以下的整數；p和r各自獨立地表示4以上且12以下的整數；x和y各自獨立地表示0或1；“*”和“**”分別表示與通式(1)中的硅原子和氧原子的鍵合位置。

2.根據權利要求1所述的充電構件，其中在所述高分子化合物中，通式(1)中的R₁和R₂各自獨立地為選自由以下通式(8)-(11)表示的結構的任意一種：

通式(8)-(11)中，N、M、L、Q、S和T各自獨立地表示1以上且8以下的整數；以及x′和y′各自獨立地表示0或1；以及“*”和“**”分別表示與式(1)中的硅原子和氧原子的鍵合位置。

3.根據權利要求1或2所述的充電構件，其中所述高分子化合物中M的原子數與M和Ti的原子數之和的比M/(M+Ti)為0.005以上且0.95以下。

4.根據權利要求3所述的充電構件，其中所述M/(M+Ti)為0.01以上且0.90以下。

5.根據權利要求1-4的任意一項所述的充電構件，其中所述高分子化合物中硅的原子數與M和Ti的原子數之和的比Si/(M+Ti)為0.05以上且7.0以下。

6.根據權利要求5所述的充電構件，其中所述Si/(M+Ti)為0.10以上且5.0以下。

7.根據權利要求1-6的任意一項所述的充電構件，其中所述表面層的厚度為10-1000nm。

8.根據權利要求7所述的充電構件，其中所述表面層的厚度為50-500nm。

9.一種電子照相設備，其特征在于，其包括：感光構件和與所述感光構件接觸配置的根據權利要求1-8的任意一項所述的充電構件。

10.一種處理盒，其特征在于，其包括：感光構件和與所述感光構件接觸配置的根據權利要求1-8的任意一項所述的充電構件，所述處理盒構造為從電子照相設備的主體可拆卸。