[發(fā)明專利]延長的選擇柵壽命有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380026607.0 | 申請日： | 2013-06-04 |
| 公開（公告）號： | CN104321822B | 公開（公告）日： | 2018-03-30 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | Y.B.瓦朝雷;K.潘加;郭炘;孟慶茹;H.貝加 | 申請（專利權(quán)）人： | 英特爾公司 |
| 主分類號： | G11C16/06 | 分類號： | G11C16/06;G11C16/14;G11C16/12 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 徐予紅,湯春龍 |
| 地址： | 美國加利*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 延長 選擇 壽命 | ||
1.一種存儲器裝置，包括：
集成電路中的兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元；
耦合到所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的至少一個(gè)選擇柵，其中所述至少一個(gè)選擇柵包括閃速單元；以及
用于在所述集成電路的正常操作期間接受選擇柵擦除命令和選擇柵編程命令的接口；
所述集成電路能夠執(zhí)行操作以便：
提供與所述至少一個(gè)選擇柵的電壓閾值有關(guān)的信息；
響應(yīng)于所述選擇柵擦除命令，擦除所述至少一個(gè)選擇柵；以及
響應(yīng)于所述選擇柵編程命令，將所述至少一個(gè)選擇柵編程。
2.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元組織成NAND串；并且
所述至少一個(gè)選擇柵包括在相反端耦合到所述NAND串的第一閃速單元和第二閃速單元，所述第一閃速單元用作選擇柵源極，而所述第二閃速單元用作選擇柵漏極。
3.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述至少一個(gè)選擇柵和所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元包括浮柵場效應(yīng)晶體管。
4.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述至少一個(gè)選擇柵在執(zhí)行所述選擇柵擦除操作之后具有約0伏或更小的電壓閾值，并且在執(zhí)行所述選擇柵編程操作之后具有大于約0伏的電壓閾值。
5.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的控制柵在所述選擇柵擦除操作期間浮動，并且所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的狀態(tài)不因?yàn)樗鲞x擇柵擦除操作而改變。
6.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中所述接口進(jìn)一步接受擦除命令并提供狀態(tài)信息；
所述集成電路能夠響應(yīng)于所述擦除命令執(zhí)行擦除所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的操作；
其中響應(yīng)于擦除所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的故障的操作而提供的所述狀態(tài)信息包括指示所述故障的原因的信息，所述故障選自由低選擇柵電壓閾值和高選擇柵電壓閾值組成的群組。
7.如權(quán)利要求6所述的存儲器裝置，如果所述故障選自由低選擇柵電壓閾值和高選擇柵電壓閾值組成的群組，則所述集成電路能夠響應(yīng)于擦除所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的所述故障的操作而執(zhí)行將包括所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的存儲器單元區(qū)塊編程的操作。
8.如權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，還包括包含所述兩個(gè)或兩個(gè)以上存儲器單元的存儲器單元區(qū)塊；
所述接口還接受區(qū)塊編程命令；并且
所述集成電路能夠執(zhí)行將所述存儲器單元區(qū)塊編程的操作。
9.一種用于管理存儲器裝置的方法，包括：
提供與存儲器裝置中選擇柵的電壓閾值有關(guān)的信息；
響應(yīng)于在所述存儲器裝置的正常操作期間接收的選擇柵擦除命令，擦除用作所述選擇柵的閃速單元；以及
在所述存儲器裝置的正常操作期間，響應(yīng)于選擇柵編程命令，將用作所述選擇柵的所述閃速單元編程；
其中耦合到所述存儲器裝置中所述選擇柵的存儲器單元的狀態(tài)不因?yàn)橛米魉鲞x擇柵的所述閃速單元的所述擦除和所述編程而改變。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：
在用作所述選擇柵的所述閃速單元的所述擦除期間，使所述存儲器單元的控制柵浮動。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：
響應(yīng)于擦除命令，執(zhí)行擦除所述存儲器單元的擦除操作；以及
提供由于故障的擦除操作而引起的狀態(tài)信息，所述狀態(tài)信息包括與用作所述選擇柵的所述閃速單元的電壓閾值有關(guān)的信息。
12.如權(quán)利要求11所述的方法，其中與用作所述選擇柵的所述閃速單元的電壓閾值有關(guān)的所述狀態(tài)信息包括選自由所述電壓閾值低于第一預(yù)定值和所述電壓閾值大于第二預(yù)定值組成的群組的指示。
13.如權(quán)利要求9所述的方法，還包括：在所述存儲器裝置的正常操作期間，響應(yīng)于編程命令，執(zhí)行將所述存儲器單元編程的編程操作。
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