[發明專利]SOI晶片的制造方法

有效

• 申請號: 201380026585.8
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104364880B
• 公開（公告）日: 2017-09-26
• 發明（設計）人: 阿賀浩司;石塚徹
• 申請（專利權）人: 信越半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/02
• 分類號: H01L21/02;H01L21/306;H01L27/12
• 代理公司: 隆天知識產權代理有限公司72003
• 代理人: 張永康,李英艷

1.一種SOI晶片的制造方法，其從由單晶硅所構成的接合晶片的表面，離子注入氫或稀有氣體中的至少1種氣體離子而形成離子注入層，在將該接合晶片的離子注入后的表面與基底晶片的表面隔著絕緣膜貼合后，以前述離子注入層為界來剝離前述接合晶片，由此，來制作SOI晶片，

其特征在于，

其具有以下工序：

僅在整個前述基底晶片的表面上形成前述絕緣膜，對于以前述離子注入層為界來剝離前述接合晶片之前的貼合晶片，一邊保護背面的前述絕緣膜，所述背面位于前述基底晶片的貼合面的相反側，一邊使該貼合晶片接觸可溶解前述絕緣膜的液體、或暴露于可溶解前述絕緣膜的氣體中，由此，自前述貼合晶片的外周端向中心方向，蝕刻位于前述接合晶片與前述基底晶片之間的前述絕緣膜，

在自前述貼合晶片的外周端向中心方向，蝕刻位于前述接合晶片與前述基底晶片之間的前述絕緣膜的工序中，將前述絕緣膜的侵蝕寬度擴大至發生SOI島的區域。

2.如權利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，在室溫進行前述接合晶片與前述基底晶片的貼合，之后不進行熱處理，而進行前述絕緣膜的蝕刻。

3.如權利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，在室溫進行前述接合晶片與前述基底晶片的貼合，之后進行不會使前述離子注入層中發生剝離的低溫熱處理后，進行前述絕緣膜的蝕刻。

4.如權利要求1所述的SOI晶片的制造方法，其中，自前述貼合晶片的外周端向中心方向，進行前述絕緣膜的蝕刻，并且蝕刻至0.3mm以上且10mm以下的位置處。

5.如權利要求2所述的SOI晶片的制造方法，其中，自前述貼合晶片的外周端向中心方向，進行前述絕緣膜的蝕刻，并且蝕刻至0.3mm以上且10mm以下的位置處。

6.如權利要求3所述的SOI晶片的制造方法，其中，自前述貼合晶片的外周端向中心方向，進行前述絕緣膜的蝕刻，并且蝕刻至0.3mm以上且10mm以下的位置處。

7.如權利要求1至6中的任一項所述的SOI晶片的制造方法，其中，將前述絕緣膜的蝕刻中的保護背面的前述絕緣膜的范圍，設為在自前述基底晶片的外周端向中心方向0mm以上且20mm以下的位置的更內側，并且所述背面位于前述基底晶片的貼合面的相反側。

8.如權利要求1至6中的任一項所述的SOI晶片的制造方法，其中，使用O型環來進行背面的前述絕緣膜的保護，并且所述背面位于前述基底晶片的貼合面的相反側。

9.如權利要求7所述的SOI晶片的制造方法，其中，使用O型環來進行背面的前述絕緣膜的保護，并且所述背面位于前述基底晶片的貼合面的相反側。

10.如權利要求1至6中的任一項所述的SOI晶片的制造方法，其中，將前述絕緣膜設為氧化膜、氮化膜、或它們的積層膜，并將可溶解前述絕緣膜的液體設為含有氫氟酸的水溶液。

11.如權利要求7所述的SOI晶片的制造方法，其中，將前述絕緣膜設為氧化膜、氮化膜、或它們的積層膜，并將可溶解前述絕緣膜的液體設為含有氫氟酸的水溶液。

12.如權利要求8所述的SOI晶片的制造方法，其中，將前述絕緣膜設為氧化膜、氮化膜、或它們的積層膜，并將可溶解前述絕緣膜的液體設為含有氫氟酸的水溶液。

13.如權利要求9所述的SOI晶片的制造方法，其中，將前述絕緣膜設為氧化膜、氮化膜、或它們的積層膜，并將可溶解前述絕緣膜的液體設為含有氫氟酸的水溶液。

14.如權利要求1至6中的任一項所述的SOI晶片的制造方法，其中，將已進行前述絕緣膜的蝕刻后的前述貼合晶片，浸漬于可溶解單晶硅的液體中、或暴露于可溶解單晶硅的氣體中，由此，蝕刻前述接合晶片的外周部，直至距離前述接合晶片的貼合面側為至少前述離子注入層的深度處，然后，進行前述接合晶片的剝離。

15.如權利要求13所述的SOI晶片的制造方法，其中，將已進行前述絕緣膜的蝕刻后的前述貼合晶片，浸漬于可溶解單晶硅的液體中、或暴露于可溶解單晶硅的氣體中，由此，蝕刻前述接合晶片的外周部，直至距離前述接合晶片的貼合面側為至少前述離子注入層的深度處，然后，進行前述接合晶片的剝離。