[發(fā)明專利]用于載波聚集的低噪聲放大器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380026584.3
• 申請日: 2013-05-24
• 公開（公告）號: CN104321963B
• 公開（公告）日: 2018-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: A·M·塔希奇;A·B·戴維瓦拉
• 申請（專利權(quán)）人: 高通股份有限公司
• 主分類號: H03F1/22
• 分類號: H03F1/22;H03F3/193;H03F3/68;H03F3/72
• 代理公司: 上海專利商標事務(wù)所有限公司31100
• 代理人: 周敏

1.一種用于載波聚集的裝置，包括：

第一放大器級，其被配置成獨立地啟用和停用，并在所述第一放大器級被啟用時接收和放大輸入射頻信號并將第一輸出射頻信號提供給第一負載電路，采用載波聚集的所述輸入射頻信號包括在不同頻率處的多個載波上發(fā)送給無線設(shè)備的傳輸，所述第一輸出射頻信號包括所述多個載波的至少一個第一載波；以及

第二放大器級，其被配置成獨立地啟用和停用，并在所述第二放大器級被啟用時接收和放大所述輸入射頻信號并將第二輸出射頻信號提供給第二負載電路，所述第二輸出射頻信號包括所述多個載波的不同于所述第一載波的至少一個第二載波。

2.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，所述第一放大器級包括耦合至第一共源共柵晶體管的第一增益晶體管，所述第二放大器級包括耦合至第二共源共柵晶體管的第二增益晶體管，并且所述輸入射頻信號被提供給所述第一增益晶體管和所述第二增益晶體管兩者。

3.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一放大器級進一步包括耦合至所述第一增益晶體管的第一電感器，并且所述第二放大器級進一步包括耦合至所述第二增益晶體管的第二電感器。

4.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一增益晶體管和所述第二增益晶體管的源極耦合至電路接地。

5.如權(quán)利要求2所述的裝置，其特征在于，所述第一放大器級和所述第二放大器級在第一模式中提供所述第一輸出射頻信號和所述第二輸出射頻信號，而在第二模式中提供所述第一輸出射頻信號但不提供所述第二輸出射頻信號，所述第一共源共柵晶體管和所述第二共源共柵晶體管在所述第一模式中被啟用，并且所述第一共源共柵晶體管和所述第二共源共柵晶體管中的僅一個在所述第二模式中被啟用。

6.如權(quán)利要求5所述的裝置，其特征在于，在所述第一模式和所述第二模式兩者中，所述第一增益晶體管和所述第二增益晶體管被施加所述輸入射頻信號，并且在所述第二模式中，所述第一增益晶體管和所述第二增益晶體管中的一個在飽和區(qū)中操作且所述第一增益晶體管和所述第二增益晶體管中的另一個在線性區(qū)中操作。

7.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

耦合在所述第一放大器級和所述第二放大器級中的至少一者的輸出與輸入之間的反饋電路。

8.如權(quán)利要求7所述的裝置，其特征在于，所述反饋電路包括電阻器、或者電容器、或者電阻器和電容器兩者。

9.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

第一衰減電路，其耦合至所述第一放大器級并被配置成接收所述輸入射頻信號；以及

第二衰減電路，其耦合至所述第二放大器級并被配置成接收所述輸入射頻信號。

10.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

衰減電路，其耦合至所述第一放大器級和所述第二放大器級并被配置成接收所述輸入射頻信號。

11.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

輸入匹配電路，其耦合至所述第一放大器級和所述第二放大器級并被配置成接收一接收機輸入信號并提供所述輸入射頻信號。

12.如權(quán)利要求11所述的裝置，其特征在于，所述輸入匹配電路是可調(diào)諧的并且包括至少一個可調(diào)電路組件。

13.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，進一步包括：

第三放大器級，其被配置成在所述第三放大器級被啟用時接收和放大第二輸入射頻信號并將所述第一輸出射頻信號提供給所述第一負載電路；以及

第四放大器級，其被配置成在所述第四放大器級被啟用時接收和放大所述第二輸入射頻信號并將所述第二輸出射頻信號提供給所述第二負載電路。

14.如權(quán)利要求1所述的裝置，其特征在于，

所述第一放大器級被配置成在所述第一放大器級被啟用時接收和放大所述輸入射頻信號或第二輸入射頻信號并將所述第一輸出射頻信號提供給所述第一負載電路，以及

所述第二放大器級被配置成在所述第二放大器級被啟用時接收和放大所述輸入射頻信號或所述第二輸入射頻信號并將所述第二輸出射頻信號提供給所述第二負載電路。