[發明專利]用于鎳層無電沉積的鍍浴

有效

• 申請號: 201380026312.3
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104321463A
• 公開（公告）日: 2015-01-28
• 發明（設計）人: 海科·布倫納;揚·皮卡勒克;尤利婭·貝揚;卡斯滕·克勞斯;霍爾格·貝拉;斯文·魯克布拉德
• 申請（專利權）人: 德國艾托特克公司
• 主分類號: C23C18/34
• 分類號: C23C18/34;C23C18/50;H01L21/288
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司 11287
• 代理人: 林斯凱

1.一種用于鎳和鎳合金的無電沉積的水性鍍浴組合物，所述鍍浴包含

(i)鎳離子的來源，

(ii)至少一種絡合劑，

(iii)至少一種還原劑，

(iv)式(1)的穩定劑：

其中X是選自O和NR⁴，n在1到6范圍內，m在1到8范圍內；R¹、R²、R³和R⁴是獨立地選自氫和C₁到C₄烷基；Y是選自-SO₃R⁵、-CO₂R⁵和-PO₃R⁵₂，且R⁵是選自氫、C1-C4烷基和適合的反離子。

2.根據權利要求1所述的水性無電鍍浴，其中R¹、R²、R³和R⁴是選自氫、甲基和乙基。

3.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中R⁵選自氫、甲基、乙基、鈉、鉀、鎳和銨。

4.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中Y為SO₃R⁵。

5.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述式(1)的穩定劑的濃度在0.02mmol/l到5.0mmol/l范圍內。

6.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其進一步包含至少一種合金金屬離子來源，且其中所述至少一種合金金屬離子是選自由以下組成的群組：鈦、釩、鉻、錳、鋯、鈮、鉬、鉿、鉭、鎢、銅、銀、金、鋁、鐵、鈷、鈀、釕、銠、鋨、銥、鉑、鋅、鎘、鎵、銦、錫、銻、鉈、鉛和鉍。

7.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述鍍浴具有3.5到7的pH值。

8.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中鎳離子的濃度在0.1g/l到60g/l范圍內。

9.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述至少一種絡合劑是選自由以下組成的群組：胺、羧酸、羥基羧酸、氨基羧酸和前述的鹽。

10.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述至少一種絡合劑的濃度在0.01mol/l到mol/l范圍內。

11.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述至少一種還原劑的濃度在0.01mol/l到3.0mol/l范圍內。

12.根據前述權利要求中任一權利要求所述的水性無電鍍浴，其中所述至少一種還原劑為次磷酸鹽。

13.一種用于鎳和鎳合金的無電沉積的方法，其包含以下步驟：

(i)提供襯底，

(ii)將所述襯底浸沒在根據權利要求1到12中任一權利要求所述的水性無電鍍浴中，

(iii)和由此將鎳或鎳合金沉積到所述襯底上。

14.根據權利要求13所述的方法，其中所述無電鍍浴含有次磷酸鹽作為所述至少一種還原劑。

15.根據權利要求13和14所述的方法，其中電鍍速率在4微米/小時到14微米/小時之間變化，以獲得在10重量％到15重量％之間的磷含量。