[發(fā)明專利]用包含金屬納米粒子和納米線的油墨形成導電圖案有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380025936.3 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104303267B | 公開(公告)日: | 2017-05-17 |
| 發(fā)明(設計)人: | 金丹良 | 申請(專利權)人: | 尤尼皮克塞爾顯示器有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/027 | 分類號: | H01L21/027;H01L21/28 |
| 代理公司: | 中原信達知識產權代理有限責任公司11219 | 代理人: | 劉慧,楊青 |
| 地址: | 美國德*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 包含 金屬 納米 粒子 油墨 形成 導電 圖案 | ||
1.一種使用納米-催化劑油墨通過柔性印刷形成導電圖案的方法,包含:
清潔基板;
用油墨在所述基板的第一側上印刷第一圖案,其中所述第一圖案包含至少一條線,其中所述線為1-25微米寬,和其中所述油墨包含粘結劑和包含多個納米粒子和多條納米線的至少一種的多個納米-催化劑,其中形成的所述多個納米-催化劑是鈀-銅納米-催化劑、銀納米-催化劑或銅納米-催化劑的一種,和其中所述油墨包含至少50重量%的納米-催化劑;和
固化所述第一圖案。
2.根據權利要求1所述的方法,還包含通過在所述第一圖案上布置導電材料而鍍層所述第一圖案,其中所述導電材料是銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鋅(Zn)或金(Au)的一種。
3.根據權利要求1所述的方法,其中所述多個納米粒子的每個納米粒子的直徑是3nm-200nm,和其中所述多條納米線的每條納米線的寬度是1nm-200nm。
4.根據權利要求2所述的方法,還包含,在鍍層所述第一圖案之前,在所述基板的與所述第一圖案相反的第二側上印刷第二圖案。
5.根據權利要求4所述的方法,其中所述第二圖案是多個環(huán)或第二多條線的一種,并且所述方法還包括鍍層所述第一圖案的同時鍍層所述第二圖案。
6.根據權利要求1所述的方法,其中固化使用紫外固化或電子束固化的至少一種。
7.根據權利要求1所述的方法,其中,在固化之后,所述第一圖案是導電的,其中所述固化是單一的固化。
8.一種使用納米-催化劑油墨通過柔性印刷形成導電圖案的方法,包含:
清潔基板;
用油墨在所述基板的第一側上印刷圖案,其中所述圖案包含至少一條線,其中所述線為1-25微米寬,和其中所述油墨包含粘結劑和多個納米-催化劑,其中形成的所述多個納米-催化劑是乙二醇銀納米-催化劑或葡萄糖銀納米-催化劑的至少一種,和其中所述油墨包含至少50重量%的納米-催化劑;以及
鍍層所述圖案。
9.根據權利要求8所述的方法,還包含通過在所述圖案上布置導電材料而鍍層所述圖案,其中所述導電材料是銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鋅(Zn)或金(Au)的一種。
10.根據權利要求8所述的方法,還包含,在鍍層所述圖案之前固化所述圖案,其中固化包含紫外固化或電子束固化的至少一種。
11.根據權利要求10所述的方法,其中,在固化之后,所述圖案是導電的,其中所述固化是單一的固化。
12.根據權利要求8所述的方法,其中所述油墨包含50重量%-70重量%的納米-催化劑。
13.根據權利要求8所述的方法,其中所述印刷圖案的電阻率是0.0015微歐-10千歐。
14.一種使用納米-催化劑油墨通過柔性印刷形成導電圖案的方法,包含:
清潔基板;和
用油墨在所述基板的第一側上印刷圖案,其中所述圖案包含至少一條線,其中所述線為1-25微米寬,和其中所述油墨包含粘結劑和多個納米-催化劑,其中形成的所述多個納米-催化劑是乙二醇銅納米-催化劑或葡萄糖銅納米-催化劑的至少一種,和其中所述油墨包含至少50重量%的納米-催化劑。
15.根據權利要求14所述的方法,還包含固化所述圖案,其中,在固化之后,所述圖案是導電的,其中所述固化是單一的固化。
16.根據權利要求14所述的方法,其中所述油墨包含50重量%-70重量%的納米-催化劑。
17.根據權利要求14所述的方法,其中所述印刷圖案的電阻率是0.0015微歐-10千歐。
18.根據權利要求14所述的方法,還包含鍍層所述圖案。
19.根據權利要求18所述的方法,其中鍍層所述圖案包括在所述圖案上布置導電材料,其中所述導電材料是銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鋅(Zn)或金(Au)的一種。
20.根據權利要求18所述的方法,還包含,在鍍層所述圖案之前固化所述圖案,其中固化包含紫外固化或電子束固化的至少一種。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





