[發(fā)明專利]具有質量偏置裝置的集成壓電諧振器

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380025921.7
• 申請日: 2013-05-31
• 公開（公告）號: CN104321892B
• 公開（公告）日: 2019-06-28
• 發(fā)明（設計）人: B·N·伯吉斯;W·R·克萊尼克;S·M·雅各布森
• 申請（專利權）人: 德克薩斯儀器股份有限公司
• 主分類號: H01L41/08
• 分類號: H01L41/08;H03H9/13
• 代理公司: 北京紀凱知識產(chǎn)權代理有限公司 11245
• 代理人: 趙蓉民

一種集成諧振器設備(100)，包括壓電諧振器(120、124、128)和鄰近壓電諧振器形成的聲學布拉格反射器(149)。集成諧振器設備還包括形成在布拉格反射器(149)上方的質量偏置裝置(170)。

技術領域

本發(fā)明涉及用于集成壓電諧振器的設備和方法。

背景技術

時序解決方案在現(xiàn)代電子裝置中很重要。在幾乎所有的商業(yè)和消費設備中使用的計時裝置提供頻率控制和用于許多應用的時序。晶體振蕩器作為主要類型的頻率發(fā)生器已經(jīng)持續(xù)了幾十年。與晶體振蕩器可用于控制的集成電路相比，晶體振蕩器通常使用造成相當大的裝置的石英。期望振蕩器頻率穩(wěn)定且不漂移。

發(fā)明內(nèi)容

公開了包括在諧振器頂部上并在塑料封裝件內(nèi)的質量偏置裝置的集成諧振器。所增加的質量用以防止或至少減小諧振器裝置隨著時間變化的頻率漂移。

在一些實施例中，集成諧振器設備包括：壓電諧振器和與鄰近壓電諧振器形成的聲學布拉格反射器。集成諧振器設備還包括質量偏置裝置，其形成在與壓電諧振器相對的一側上的布拉格反射器上方。

其它實施例涉及在襯底上方沉積較低和較高聲學阻抗材料的交替介電層。該方法進一步包括在交替介電層上方沉積第一諧振器電極，在第一諧振器電極上方沉積壓電層，以及在壓電層上方沉積第二諧振器電極。然后質量偏置裝置沉積在諧振器上方。該方法還包括利用塑料封裝質量偏置裝置、第一和第二電極、壓電層，以及交替介電層。

附圖說明

圖1示出根據(jù)本發(fā)明各種實施例的具有質量偏置裝置的集成壓電諧振器的橫截面圖；以及

圖2示出根據(jù)各種實施例的集成壓電諧振器的制造方法。

具體實施方式

圖1示出包括合適襯底(諸如，單晶硅晶片102)的溫度受控集成壓電諧振器裝置100。在襯底上，聲學反射器104(諸如聲學布拉格反射器)優(yōu)選形成。聲學布拉格反射器104可包括較高聲學阻抗和較低聲學阻抗的交替層。

在圖1的示例中，在低聲學阻抗材料的后續(xù)層108之后，高聲學阻抗材料的第一層106被沉積。高和低聲學阻抗材料的附加層110和112也被分別沉積。因此，層106和110是高聲學阻抗材料，并且優(yōu)選是相同的材料。類似地，層108和112是低聲學阻抗材料，并且優(yōu)選是相同的材料。

在一個示例中，較低聲學阻抗材料可以是電介質，諸如納米多孔氫倍半硅氧烷(HSQ)或納米多孔甲基倍半硅氧烷(MSQ)的納米多孔旋涂玻璃(spin-on-glasses)，所述電介質可以利用后續(xù)的固化步驟沉積在旋涂機中。