[發明專利]薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201380025842.6
• 申請日: 2013-06-06
• 公開（公告）號: CN104335353B
• 公開（公告）日: 2017-04-05
• 發明（設計）人: 岸智彌;廣瀨研太;森田晉也;釘宮敏洋
• 申請（專利權）人: 株式會社神戶制鋼所
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L21/336;H01L21/363
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司11021
• 代理人: 雒運樸

1.一種薄膜晶體管，其特征在于，在基板上至少按順序具有柵電極、柵極絕緣膜、氧化物半導體層、源-漏電極和保護所述源-漏電極的保護膜，

所述氧化物半導體層是具有由In、Ga、Zn、Sn和O構成的第一氧化物半導體層以及由In、Ga、Zn和O構成的第二氧化物半導體層的層疊體，

所述第二氧化物半導體層形成于所述柵極絕緣膜之上，并且所述第一氧化物半導體層形成于所述第二氧化物半導體層與所述保護膜之間，并且，

在所述第一氧化物半導體層中，各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的含量按原子％計為

In：25％以下且不含0％、

Ga：5％以上、

Zn：30.0～60.0％、和

Sn：8～30％。

2.根據權利要求1所述的薄膜晶體管，其中，所述第一氧化物半導體層相對于源-漏電極用濕蝕刻液的蝕刻速率，是所述源-漏電極的蝕刻速率的1/2以下。

3.一種薄膜晶體管，其特征在于，在基板上至少按順序具有柵電極、柵極絕緣膜、氧化物半導體層、源-漏電極、蝕刻阻擋層和保護所述源-漏電極的保護膜，

所述氧化物半導體層是具有由In、Ga、Zn、Sn和O構成的第一氧化物半導體層以及由In、Ga、Zn及O構成的第二氧化物半導體層的層疊體，

所述第二氧化物半導體層形成于所述柵極絕緣膜之上，并且所述第一氧化物半導體層形成于所述第二氧化物半導體層與所述蝕刻阻擋層之間，并且，

在所述第一氧化物半導體層中，各金屬元素相對于除去氧的全部金屬元素的含量按原子％計為

In：25％以下且不含0％、

Ga：8.0％以上、

Zn：30.0～60.0％、和

Sn：5～35％。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的薄膜晶體管，其中，所述第二氧化物半導體層的厚度為0.5nm以上。

5.一種顯示裝置，其具備權利要求1～3中任一項所述的薄膜晶體管。