[發明專利]等離子體蝕刻方法及等離子體處理裝置

有效

• 申請號: 201380025589.4
• 申請日: 2013-06-12
• 公開（公告）號: CN104303274B
• 公開（公告）日: 2018-01-09
• 發明（設計）人: 渡邊光
• 申請（專利權）人: 東京毅力科創株式會社
• 主分類號: H01L21/3065
• 分類號: H01L21/3065;H05H1/46
• 代理公司: 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙)11277
• 代理人: 劉新宇,張會華

1.一種等離子體蝕刻方法，在該等離子體蝕刻方法中，在設于處理容器內的上部電極和下部電極之間施加高頻電力而使處理氣體等離子體化，對層疊于基板上的氧化硅膜層及氮化硅層以將形成于該氮化硅層上的硅層作為掩模的方式進行等離子體蝕刻處理，其特征在于，在該等離子體蝕刻方法中，通過如下步驟而形成具有規定的深寬比的孔或者溝槽，其中，所述規定的深寬比為60以上：

進行第1蝕刻處理，在該第1蝕刻處理中，利用含CF氣體的等離子體及含CHF氣體的等離子體對所述氮化硅層進行蝕刻，

接著，進行第2蝕刻處理，在該第2蝕刻處理中，利用含CF氣體的等離子體對所述氧化硅膜層進行蝕刻，

接著，利用含Si氣體的等離子體在所述掩模上沉積含Si物質，

之后，進行第3蝕刻處理，在該第3蝕刻處理中，在所述掩模上沉積有含Si物質的狀態下，利用含CF氣體的等離子體對氧化硅膜層再次進行蝕刻。

2.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，

反復進行在所述掩模上沉積含Si物質的處理和利用所述含CF氣體對氧化硅膜層進行蝕刻的第3蝕刻處理。

3.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，

所述含Si氣體為SiCl₄氣體。

4.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，

所述含Si氣體為SiCl₄和O₂的混合氣體。

5.根據權利要求1所述的等離子體蝕刻方法，其中，

所述第2蝕刻處理及所述第3蝕刻處理中的所述基板的溫度為120℃～200℃，

在所述第2蝕刻處理及所述第3蝕刻處理中，向所述下部電極施加用于吸引離子的高頻電力，

施加的所述高頻電力的電力密度為11W/cm²～14.2W/cm²。