[發明專利]覆晶黏晶機以及黏晶平臺的平坦度與變形量補正方法有效
| 申請號: | 201380025531.X | 申請日: | 2013-12-19 |
| 公開(公告)號: | CN104303277A | 公開(公告)日: | 2015-01-21 |
| 發明(設計)人: | 瀬山耕平 | 申請(專利權)人: | 株式會社新川 |
| 主分類號: | H01L21/60 | 分類號: | H01L21/60 |
| 代理公司: | 北京同立鈞成知識產權代理有限公司 11205 | 代理人: | 馬雯雯;臧建明 |
| 地址: | 日本東京武藏村*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 覆晶黏晶機 以及 平臺 平坦 變形 補正 方法 | ||
1.一種覆晶黏晶機,包括:
基體部;
黏晶平臺,吸附固定黏晶對象物;
多個上下方向位置調整支持機構,安裝于上述基體部,分別在上下方向上支持多個支持點并且調整各支持點的上下方向位置,上述多個支持點設置在上述黏晶平臺吸附固定上述黏晶對象物的表面的相反側的面;以及
連接構件,將上述基體部與上述黏晶平臺予以連接,
上述連接構件限制上述黏晶平臺相對于上述基體部在沿著上述黏晶平臺的表面的第一軸的方向、與沿著上述黏晶平臺的表面而與上述第一軸正交的第二軸的方向上的相對移動,且容許上述黏晶平臺相對于上述基體部繞上述第一軸的第一扭轉、繞上述第二軸的第二扭轉、及上述黏晶平臺相對于上述基體部的上下方向的移動。
2.根據權利要求1所述的覆晶黏晶機,
上述連接構件為第一邊與第二邊平行的大致梯形形狀,且為板彈簧機構,包括:與上述第一邊鄰接且沿著上述第一邊的第一可撓性部、與上述第二邊鄰接且沿著上述第二邊的第二可撓性部,以及上述第一可撓性部與上述第二可撓性部之間的剛體部,
上述第一邊與上述第二邊以與上述第一軸或上述第二軸平行的方式配置于上述基體部與上述黏晶平臺之間。
3.根據權利要求2所述的覆晶黏晶機,
上述板彈簧機構的上述第一邊比上述第二邊短,
上述板彈簧機構的上述第一邊安裝在上述黏晶平臺與表面為相反側的面上且位于自上述黏晶平臺的重心位置偏離第一距離的第一位置處,
上述板彈簧機構的上述第二邊安裝在上述基體部與上述黏晶平臺對向的面上且位于第二位置處,所述第二位置位在上述第一位置與上述重心相反的一側且自上述重心偏離比上述第一距離長的第二距離。
4.根據權利要求1所述的覆晶黏晶機,包括多個加壓彈簧,上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調整支持機構上,
上述各上下方向位置調整支持機構包含與上述各支持點接觸的凸輪機構。
5.根據權利要求2所述的覆晶黏晶機,包括多個加壓彈簧,上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調整持機構上,
上述各上下方向位置調整支持構包含與上述各支持點接觸的凸輪機構。
6.根據權利要求3所述的覆晶黏晶機,包括多個加壓彈簧,上述多個加壓彈簧將上述黏晶平臺的上述各支持點擠壓至上述各上下方向位置調整支持機構上,
上述各上下方向位置調整支持機構包括與上述各支持點接觸的凸輪機構。
7.根據權利要求1所述的覆晶黏晶機,包括控制部,上述控制部使上述上下方向位置調整支持機構動作,
上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖,且包括平坦度補正單元,上述平坦度補正單元根據黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
8.根據權利要求2所述的覆晶黏晶機,包括控制部,上述控制部使上述上下方向位置調整支持機構動作,
上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖,且包括平坦度補正單元,上述平坦度補正單元根據黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
9.根據權利要求3所述的覆晶黏晶機,包括控制部,上述控制部使上述上下方向位置調整支持機構動作,
上述控制部包括顯示上述黏晶平臺各部的平坦度的平坦度圖,且包括平坦度補正單元,上述平坦度補正單元根據黏晶位置且基于上述平坦度圖來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
10.根據權利要求1所述的覆晶黏晶機,包括控制部,上述控制部使上述上下方向位置調整支持機構動作,
上述控制部包括預計變形量圖,上述預計變形量圖顯示將黏晶工具抵壓至上述黏晶平臺時的推壓負載所引起的上述黏晶平臺各部的預計變形量,且包括變形量補正單元,上述變形量補正單元根據黏晶時的推壓位置與推壓負載而僅以上述黏晶平臺的上述預計變形量來補正上述黏晶平臺的高度與傾斜。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





