[發(fā)明專利]帶有透明電極的基板及其制造方法以及觸摸面板

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380025510.8
• 申請日: 2013-01-29
• 公開（公告）號: CN104303240B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設計）人: 上田拓明;近藤晃三;檀野和久
• 申請（專利權）人: 株式會社鐘化
• 主分類號: H01B5/14
• 分類號: H01B5/14;B32B9/00;C23C14/08;C23C14/10;C23C14/34;H01B13/00
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司11227
• 代理人: 趙曦,金世煜

1.一種帶有透明電極的基板，在透明膜的至少一面，依次具有第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層、以及被圖案化成電極層形成部和電極層非形成部的透明電極層；

所述第一電介質層是以SiO_x為主要成分且膜厚為1nm～25nm的硅氧化物層，其中x≥1.5；

所述第二電介質層是以選自Nb、Ta、Ti、Zr、Zn、及Hf中的1種以上的金屬的氧化物為主要成分且膜厚為5nm以上且小于10nm的金屬氧化物層；

所述第三電介質層是以SiO_y為主要成分且膜厚為35nm～80nm的硅氧化物層，其中y＞x；

所述透明電極層是以銦·錫復合氧化物為主要成分且膜厚為20nm～35nm的導電性金屬氧化物層；

所述第一電介質層的折射率n₁、所述第二電介質層的折射率n₂、以及所述第三電介質層的折射率n₃滿足n₃＜n₁＜n₂的關系；

所述透明電極層的電阻率為5.0×10^-4Ω·cm以下；

帶有透明電極層的基板的電極層形成部中的透射率為87％以上。

2.根據(jù)權利要求1所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層的折射率n₄為1.88以下。

3.根據(jù)權利要求1或2所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層的折射率n₄大于所述第一電介質層的折射率n₁且小于所述第二電介質層的折射率n₂。

4.根據(jù)權利要求1～3中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層的電阻率為3.7×10^-4Ω·cm以下。

5.根據(jù)權利要求1～4中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層中的銦·錫復合氧化物的平均結晶粒徑為110nm～700nm。

6.根據(jù)權利要求5所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層中的銦·錫復合氧化物的結晶粒徑的變動系數(shù)為0.35以上。

7.根據(jù)權利要求1～6中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述第三電介質層的透明電極層側界面的算術平均粗糙度為1nm以下。

8.根據(jù)權利要求1～7中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述第二電介質層是以Nb₂O₅為主要成分的金屬氧化物層。

9.根據(jù)權利要求1～8中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層的載流子密度為6.1×10²⁰/cm³以上。

10.根據(jù)權利要求1～9中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述透明電極層相對于氧化銦與氧化錫的合計100重量份，含有4重量份～14重量份的氧化錫。

11.根據(jù)權利要求1～10中任一項所述的帶有透明電極的基板，其中，所述第三電介質層的膜厚超過55nm且為80nm以下。

12.一種帶有透明電極的基板的制造方法，是制造權利要求1～11中任一項所述的帶有透明電極的基板的方法，

在透明膜上，依次形成第一電介質層、第二電介質層、第三電介質層及透明電極層，

所述透明電極層通過如下工序形成，即，利用濺射法形成以非晶質的銦·錫復合氧化物為主要成分的非晶質透明電極層的非晶質層形成工序、以及將所述非晶質透明電極層結晶化而得到結晶質透明電極層的結晶化工序；

所述非晶質層形成工序中的濺射時的靶表面的磁通密度為30mT以上。

13.根據(jù)權利要求12所述的帶有透明電極的基板的制造方法，其中，所述第三電介質層是在小于0.4Pa的壓力下利用濺射法制膜而成的。

14.根據(jù)權利要求13所述的帶有透明電極的基板的制造方法，其中，所述第一電介質層是在小于0.4Pa的壓力下利用濺射法制膜而成的。