[發明專利]光檢測器

有效

• 申請號: 201380025424.7
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN104285135A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 中嶋和利;山西正道;藤田和上;新垣實;廣畑徹;山下博行;赤堀亙
• 申請（專利權）人: 浜松光子學株式會社
• 主分類號: G01J1/02
• 分類號: G01J1/02;H01L31/10
• 代理公司: 北京尚誠知識產權代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種光檢測器，其特征在于：

具備：

光學元件，具有包含第1區域以及沿著垂直于規定的方向的面相對于所述第1區域被周期性地排列的第2區域的結構體并且在光沿著所述規定的方向入射的時候使所述規定的方向的電場成分產生：

半導體層疊體，相對于所述光學元件被配置于與所述規定的方向上的一側相反側的另一側并且具有由通過所述光學元件產生的所述規定的方向的電場成分而產生電流的量子級聯結構，

所述量子級聯結構包含：

具有第1量子高能級以及低于該第1量子高能級的第2量子高能級的活性區域；以及

輸送在所述活性區域被激發的電子的噴射區域。

2.如權利要求1所述的光檢測器，其特征在于：

所述半導體層疊體具有沿著所述規定的方向被層疊的多個所述量子級聯結構。

3.如權利要求1或者2所述的光檢測器，其特征在于：

還具備：

被形成于所述半導體層疊體的所述一側的表面的第1接觸層；以及

被形成于所述半導體層疊體的所述另一側的表面的第2接觸層。

4.如權利要求3所述的光檢測器，其特征在于：

還具備：

與所述第1接觸層相電連接的第1電極；以及

與所述第2接觸層相電連接的第2電極。

5.如權利要求3或者4所述的光檢測器，其特征在于：

還具備：

所述第2接觸層、所述半導體層疊體、所述第1接觸層以及所述光學元件從所述另一側按順序被層疊的基板。

6.如權利要求1～5中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

所述第1區域由沿著所述規定的方向使所述光透過并調制該光的電介質所構成。

7.如權利要求1～5中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

所述第1區域由表面等離子體被所述光激發的金屬所構成。

8.如權利要求1～7中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

相對于所述第1區域的所述第2區域的排列的周期是0.5～500μm。

9.如權利要求1～8中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

所述光是紅外線。

10.如權利要求1～9中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

所述光學元件在光從所述一側入射的時候使所述規定的方向的電場成分產生。

11.如權利要求1～9中任意一項所述的光檢測器，其特征在于：

所述光學元件在光經由所述半導體層疊體從所述另一側入射的時候使所述規定的方向的電場成分產生。