[發明專利]超導磁體

有效

• 申請號: 201380025403.5
• 申請日: 2013-05-10
• 公開（公告）號: CN104303245B
• 公開（公告）日: 2017-11-03
• 發明（設計）人: 西村崇;加藤武志
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01F6/00
• 分類號: H01F6/00;H01L39/04
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司11219
• 代理人: 王偉,安翔

1.一種超導磁體，包括：

線圈單元，所述線圈單元由具有帶狀表面的氧化物超導線卷繞形成；以及

剩磁磁場抑制單元，所述剩磁磁場抑制單元由磁性物質形成，并且被配置在所述線圈單元中，所述剩磁磁場抑制單元具有在所述線圈單元的軸向方向上延伸的通孔，其中，所述剩磁磁場抑制單元包括壁厚等于或大于1mm的管，其中，所述剩磁磁場抑制單元構成容納所述線圈單元的容器的一部分。

2.根據權利要求1所述的超導磁體，其中，所述磁性物質具有等于或大于100的最大導磁率。

3.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，所述剩磁磁場抑制單元在所述軸向方向上的長度等于或大于所述氧化物超導線的所述帶狀表面的寬度。

4.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，所述剩磁磁場抑制單元在所述軸向方向上的長度等于或大于所述線圈單元在所述軸向方向上的長度的一半。

5.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，所述剩磁磁場抑制單元在所述軸向方向上的長度等于或大于所述線圈單元在所述軸向方向上的長度。

6.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，所述剩磁磁場抑制單元在所述軸向方向上的長度大于所述線圈單元在所述軸向方向上的長度。

7.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，所述剩磁磁場抑制單元具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有所述通孔，所述第二部分與所述第一部分間隔且圍繞所述第一部分。

8.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，在所述線圈單元的至少一個徑向方向上，所述線圈單元和所述剩磁磁場抑制單元具有共同的中心位置。

9.根據權利要求1或2所述的超導磁體，其中，在所述線圈單元的所述軸向方向上，所述線圈單元和所述剩磁磁場抑制單元具有共同的中心位置。

10.根據權利要求1或2所述的超導磁體，還包括屏蔽件，所述屏蔽件由磁性物質形成，并且所述屏蔽件具有中空部，以將所述線圈單元容納在其中，其中，在所述線圈單元的至少一個徑向方向上，所述線圈單元和所述屏蔽件具有共同的中心位置。

11.根據權利要求1或2所述的超導磁體，還包括屏蔽件，所述屏蔽件由磁性物質形成，并且所述屏蔽件具有中空部，以將所述線圈單元容納在其中，其中，在所述線圈單元的所述軸向方向上，所述線圈單元和所述屏蔽件具有共同的中心位置。

12.一種超導磁體，包括：

線圈單元，所述線圈單元由具有帶狀表面的氧化物超導線卷繞形成；以及

剩磁磁場抑制單元，所述剩磁磁場抑制單元由磁性物質形成，并且被配置在所述線圈單元中，所述剩磁磁場抑制單元具有在所述線圈單元的軸向方向上延伸的通孔，其中，所述剩磁磁場抑制單元包括壁厚等于或大于1mm的管，其中，所述剩磁磁場抑制單元具有第一部分和第二部分，所述第一部分具有所述通孔，所述第二部分與所述第一部分間隔且圍繞所述第一部分。