[發(fā)明專利]用于高分辨率電子束成像的設(shè)備及方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380025282.4
• 申請日: 2013-04-02
• 公開（公告）號: CN104380427B
• 公開（公告）日: 2017-03-01
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 姜辛容;韓立群
• 申請（專利權(quán)）人: 科磊股份有限公司
• 主分類號: H01J37/22
• 分類號: H01J37/22;H01J37/10;H01J37/147
• 代理公司: 北京律盟知識產(chǎn)權(quán)代理有限責任公司11287
• 代理人: 張世俊

1.一種用于高分辨率電子束成像的設(shè)備，所述設(shè)備包括：

源，其經(jīng)配置以發(fā)射電子；

槍透鏡，其經(jīng)配置以將來自所述源的所述電子聚焦到電子束中；

限束孔口，其經(jīng)配置以限制所述電子束中的電子的源發(fā)射角；

能量過濾器，其經(jīng)配置以限制所述電子束中的所述電子的能量擴散；

物鏡，其經(jīng)配置以將能量經(jīng)過濾的電子束聚焦到目標襯底的表面上的斑點上；及

檢測器，其經(jīng)配置以檢測來自所述目標襯底的所述表面的散射電子。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述能量過濾器包括能量相依偏轉(zhuǎn)器。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的設(shè)備，其中所述能量相依偏轉(zhuǎn)器包括消像散維恩過濾器。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述能量過濾器進一步包括過濾器孔口以阻擋所述受限能量擴散以外的電子。

5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述消像散維恩過濾器進一步包括沿第一軸的第一對圓柱形彎曲導電板及沿第二軸的第二對圓柱形彎曲導電板。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的設(shè)備，其中所述消像散維恩過濾器包括由導電線圈纏繞且沿所述第一軸配置的第一對磁芯及由導電線圈纏繞且沿所述第二軸配置的第二對磁芯，其中所述第一軸與所述第二軸彼此垂直且垂直于所述設(shè)備的光學軸。

7.根據(jù)權(quán)利要求3所述的設(shè)備，其中所述消像散維恩過濾器包括由導電線圈纏繞且沿第一軸配置的第一對磁軛及由導電線圈纏繞且沿第二軸配置的第二對磁軛，其中所述第一軸與所述第二軸彼此垂直且垂直于所述設(shè)備的光學軸。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述第一對磁軛及所述第二對磁軛經(jīng)配置成具有方位重疊。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的設(shè)備，其中所述消像散維恩過濾器進一步包括多極偏轉(zhuǎn)器。

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述多極偏轉(zhuǎn)器為由八極偏轉(zhuǎn)器、12極偏轉(zhuǎn)器及20極偏轉(zhuǎn)器組成的群組中的一者。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的設(shè)備，其中所述能量過濾器包括消像散維恩過濾器及過濾器孔口，所述能量過濾器進一步包括消像散器以補償由所述消像散維恩過濾器引入的像散。

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的設(shè)備，其中所述消像散器配置在所述過濾器孔口與柱孔口之間。

13.一種形成用于高分辨率電子束設(shè)備的入射電子束的方法，所述方法包括：

從源發(fā)射電子；

將來自所述源的所述電子聚焦到電子束中；

使用限束孔口限制所述電子束中的電子的源發(fā)射角；

使用能量過濾器限制所述電子束中的所述電子的能量擴散以形成能量經(jīng)過濾的電子束；及

使用物鏡將所述能量經(jīng)過濾的電子束聚焦到目標襯底的表面上的斑點上。

14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中所述能量過濾器包括消像散維恩過濾器。

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述能量過濾器進一步包括過濾器孔口以阻擋在所述受限能量擴散以外的電子。

16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述消像散維恩過濾器包括由導電線圈纏繞的沿第一軸的第一對磁芯、由導電線圈纏繞的沿第二軸的第二對磁芯、沿所述第一軸的第一對圓柱形彎曲導電板及沿所述第二軸的第二對圓柱形彎曲導電板，其中所述第一軸與所述第二軸彼此垂直且垂直于所述設(shè)備的光學軸。

17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述消像散維恩過濾器包括由導電線圈纏繞且沿第一軸配置的第一對磁軛及由導電線圈纏繞且沿第二軸配置的第二對磁軛，其中所述第一軸與所述第二軸彼此垂直且垂直于所述設(shè)備的光學軸，且其中所述第一對磁軛及所述第二對磁軛經(jīng)配置成具有重疊。

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中所述消像散維恩過濾器進一步包括多極偏轉(zhuǎn)器，其中所述多極偏轉(zhuǎn)器為由八極偏轉(zhuǎn)器、12極偏轉(zhuǎn)器及20極偏轉(zhuǎn)器組成的群組中的一者。

19.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其進一步包括在將所述能量經(jīng)過濾的電子束聚焦到所述目標襯底的所述表面上的所述斑點上之前修正由所述消像散維恩過濾器引入的像散。