[發(fā)明專利]研磨用組合物以及使用其的研磨方法和基板的制造方法有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201380025124.9 | 申請日： | 2013-04-04 |
| 公開（公告）號： | CN104285284B | 公開（公告）日： | 2017-09-05 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 大和泰之;赤塚朝彥 | 申請（專利權(quán)）人： | 福吉米株式會社 |
| 主分類號： | H01L21/3105 | 分類號： | H01L21/3105;B24B37/04;C09K3/14;C09G1/02 |
| 代理公司： | 北京林達劉知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙)11277 | 代理人： | 劉新宇,李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 國省代碼： | 暫無信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 研磨 組合 以及 使用 方法 制造 | ||
1.一種研磨用組合物，其特征在于，其用于研磨具有第1層和第2層的研磨對象物的用途，
所述第2層設(shè)置在所述第1層上，
所述第1層在pH3.5以下顯示正的Zeta電位，
所述第2層由與所述第1層不同的材料形成，
研磨用組合物含有陰離子性的水溶性聚合物和磨粒，
所述水溶性聚合物具有3以下的酸離解常數(shù)pKa，
所述磨粒在pH3.5以下顯示負(fù)的Zeta電位，所述磨粒為將有機酸固定化得到的膠體二氧化硅。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的研磨用組合物，其具有3.5以下的pH。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，所述水溶性聚合物具有磺基。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，所述水溶性聚合物選自由聚乙烯基磺酸、聚苯乙烯磺酸、聚烯丙基磺酸、聚丙烯酸乙基磺酸、聚丙烯酸丁基磺酸、聚(2-丙烯酰胺基-2-甲基丙磺酸)、聚異戊二烯磺酸、以及這些酸的鹽組成的組。
5.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，所述水溶性聚合物的含量為10質(zhì)量ppm以上且100000質(zhì)量ppm以下。
6.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的研磨用組合物，其中，所述第1層為氮化硅層。
7.一種研磨具有第1層和第2層的研磨對象物的方法，其特征在于，
所述第2層設(shè)置在所述第1層上，
所述第1層在pH3.5以下顯示正的Zeta電位，
所述第2層由與所述第1層不同的材料形成，
所述研磨對象物的研磨使用權(quán)利要求1～6中任一項所述的研磨用組合物進行。
8.一種基板的制造方法，其特征在于，其具有研磨具有第1層和第2層的研磨對象物的工序，
所述第2層設(shè)置在所述第1層上，
所述第1層在pH3.5以下顯示正的Zeta電位，
所述第2層由與所述第1層不同的材料形成，
所述研磨對象物的研磨使用權(quán)利要求1～6中任一項所述的研磨用組合物進行。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
