[發明專利]用于半導體裝置的自動化檢驗的配方產生的方法、計算機系統及設備有效
| 申請號: | 201380024955.4 | 申請日: | 2013-03-13 |
| 公開(公告)號: | CN104303264B | 公開(公告)日: | 2017-06-09 |
| 發明(設計)人: | 科恩·德韋爾;塞德里克·卡雷特 | 申請(專利權)人: | 科磊股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/00 | 分類號: | H01L21/00;H01L21/66 |
| 代理公司: | 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287 | 代理人: | 張世俊 |
| 地址: | 美國加利*** | 國省代碼: | 暫無信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 半導體 裝置 自動化 檢驗 配方 產生 方法 計算機系統 設備 | ||
相關申請案的交叉參考
本專利申請案主張2012年3月19日提出申請的第61/612,507號美國臨時專利申請案的優先權,所述專利申請案以引用方式并入本文中。
技術領域
本發明涉及一種用于半導體裝置的自動化檢驗的配方產生的方法。
本發明還涉及用于檢驗的計算機系統。
本發明還涉及一種用于檢驗的設備。
背景技術
韓國專利申請案KR 20010037026A揭示一種用于在晶片檢驗過程中確立配方參數的方法。所述方法用于縮短確立配方參數所花費的時間且減少由操作員的經驗所導致的精確度變化,因此將檢驗設備的配方參數存儲于程序庫中,使得在檢驗經歷相同過程的晶片時使用所述配方參數。光學或電配方參數根據待檢驗的晶片的特性而變化。所述參數存儲于程序庫中。輸入在檢驗中的晶片的特性。從所述程序庫讀出且自動確立對應于在檢驗中的晶片的所輸入特性的配方參數。
專利US-6,959,251 B2描述用于高效地設置用于對半導體晶片操作的檢驗、度量及審核系統的技術。特定來說,此涉及設置允許每一系統準確地檢驗半導體晶片的配方。從這些工具收集有關信息且以減少完成配方所需的時間的方式將所述信息呈現給用戶。
國際專利申請案WO 2009/148876 A1描述一種用于產生待用于選擇檢測算法的參數的值的信息的方法及系統。在不具有用戶干預的情形下,使用檢驗系統來執行對晶片的區的掃描。所述方法還包含基于待用于選擇檢測算法的參數的值的總缺陷的預定最大數目而從掃描的結果選擇缺陷的一部分。所述方法進一步包含存儲信息,此可用于選擇待用于檢驗配方的檢測算法的參數的值而不在繼掃描之后執行對晶片的額外掃描。
在US 2009/290782 A1中揭示一種用于確立晶片測試配方的方法及系統。攝像機獲取來自所生產品片的若干個裸片的圖像。軟件使用圖像的至少一部分且構成待用作典型裸片圖像的測試參考的參考圖像?;趨⒖紙D像,將裸片圖案的單個及/或可重復元件界定為“所關注地帶”。針對所關注地帶中的每一者或針對類似所關注地帶的群組確定檢測策略,且確定將由檢測策略中的每一者使用的算法。確定檢測策略的算法中的每一者的參數。通過界定可在一批特定晶片的檢驗期間使用的一組特定名稱的缺陷類別而確定報告策略。通過集成以下各項來創建“晶片測試配方”:典型裸片圖像的測試參考、經界定所關注地帶、經確定檢測策略、經確定檢測策略的算法的參數、經確定報告策略及經確定檢驗策略。
根據現有技術f方法或系統),對一個晶片執行初始配方。用戶離線獲得結果且通過審核個別裸片圖像/結果來判斷配方的性能。一些良好裸片被拒絕,此為過殺(overkill),且一些壞裸片被接受,此為漏殺(underkill)。調諧的目的為最小化過殺及漏殺兩者。用戶按其最佳所知修改檢驗配方的一或多個參數且保存配方的新版本并重新檢驗整個晶片。再次逐個審核新產生的結果,且如果結果仍不令人滿意,那么再次修改配方。多次重復此序列直到過殺/漏殺結果在規格內。
舊方法存在多個缺點,即每一調諧反覆花費長時間,必須重新檢驗完整晶片,且必須在個別裸片/缺陷層級上審核結果。必須在另一版本的配方中保存配方改變。用戶負責此配方管理。
另外,不存在對檢驗結果的良好反饋。用戶必須跟蹤所關注裸片以供審核,這是因為配方開發為人工動作且結果審核將限于可由用戶管理的一組裸片。不存在可用參考且用戶必須跟蹤所關注裸片的所預期結果。一次可僅對1個晶片的裸片進行調諧。通常希望對多個晶片/批次的裸片進行調諧。針對一個晶片的配方改善未必意指其也是針對其它晶片的配方改善。
由于有限反饋且不易于判斷配方改變的影響而需要許多反覆以便實現經調諧配方。此使得反覆的數目較大,從而增加實現良好配方的時間。
發明內容
本發明的目標為提供一種用于半導體裝置的自動化檢驗的配方產生的方法,其中配方產生花費較少時間且提供對借助所述配方取得的檢驗結果的反饋。
所述目標通過用于半導體裝置的自動化檢驗的檢驗配方產生的方法而實現,所述方法包括以下步驟:
·使用參考數據集來進行檢驗配方產生;
·借助初始配方對所述參考數據集的裸片的圖像運行自動檢驗;
·將來自所述自動檢驗的所檢測檢驗結果分類且將所述經分類檢驗結果與裸片中的缺陷的專家分類進行比較;
·自動產生過殺及漏殺數目;以及
·如果所述檢測及/或所述分類低于預定義閾值,那么修改檢驗配方參數且重復所述自動檢驗。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





