[發明專利]碳化硅半導體器件

無效

• 申請號: 201380024867.4
• 申請日: 2013-04-25
• 公開（公告）號: CN104285299A
• 公開（公告）日: 2015-01-14
• 發明（設計）人: 山田俊介;玉祖秀人
• 申請（專利權）人: 住友電氣工業株式會社
• 主分類號: H01L29/41
• 分類號: H01L29/41;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 李蘭;孫志湧

1.一種碳化硅半導體器件，包括：

碳化硅襯底，所述碳化硅襯底包括n型區和與所述n型區接觸的p型區，以及

接觸電極，所述接觸電極與所述碳化硅襯底接觸，

所述接觸電極包括包含TiSi的第一區域和包含Al的第二區域，

所述第一區域包括與所述n型區接觸的n接觸區和與所述p型區接觸的p接觸區，

所述第二區域被形成為與所述p型區和所述n型區接觸，并且圍繞所述p接觸區和所述n接觸區。

2.根據權利要求1所述的碳化硅半導體器件，其中，所述接觸電極包括碳原子的數量大于硅原子的數量的區域。

3.根據權利要求1或2所述的碳化硅半導體器件，其中，所述第二區域被形成為覆蓋所述p接觸區和所述n接觸區。

4.根據權利要求1-3中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，當在所述接觸電極中Ti原子數量是x，Al原子數量是y，并且Si原子數量是z時，x、y和z中的兩個任意原子數量之比大于或等于1/3并且小于或等于3。

5.根據權利要求1-4中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，所述p接觸區和所述n接觸區的每一個在與所述碳化硅襯底的主表面平行的方向上的寬度小于或等于500nm。

6.根據權利要求1-5中的任一項所述的碳化硅半導體器件，其中，所述接觸電極進一步包括包含TiC的第三區域。