[發(fā)明專利]外覆納米線透明導(dǎo)電涂層的電暈圖案化

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201380024839.2
• 申請日: 2013-05-02
• 公開（公告）號: CN104285312B
• 公開（公告）日: 2017-07-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 馬克·J·佩萊里蒂;塞思·M·柯克;海厄森斯·L·萊丘加
• 申請（專利權(quán)）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H01L51/00
• 分類號: H01L51/00;H01B1/02;H01B1/22;H01L51/10;H01L51/52;H05K9/00;H01L51/44;H01B5/14
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司11112
• 代理人: 顧紅霞,彭會

1.一種外覆納米線透明導(dǎo)電涂層的電暈圖案化的方法，包括：

提供透明導(dǎo)電膜，所述透明導(dǎo)電膜包括：

透明基板；

復(fù)合層，所述復(fù)合層包括：

導(dǎo)電層，所述導(dǎo)電層設(shè)置在所述透明基板的主表面的至少一部分上并包括多個(gè)互連金屬納米線；和

聚合物外覆層，所述聚合物外覆層設(shè)置在所述導(dǎo)電層的一部分上，以提供所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域；以及

使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域以圖案形式暴露于電暈放電以提供以圖案形式暴露的導(dǎo)電膜，所述導(dǎo)電膜包括(1)涂覆區(qū)域的具有第一電阻率的未暴露區(qū)域和(2)具有第二電阻率的暴露區(qū)域；

其中所述暴露區(qū)域的導(dǎo)電性小于所述未暴露區(qū)域的導(dǎo)電性，并且其中所述第二電阻率與所述第一電阻率的比值為至少1000:1；

部分所述互連金屬納米線被所述電暈放電燒蝕；并且

所述金屬納米線的至少一個(gè)橫截面尺寸小于200nm并且所述聚合物外覆層的厚度為至少200nm。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域以圖案形式暴露于電暈放電包括通過圖案化掩模使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域暴露于所述電暈放電。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中所述圖案化掩模層合于所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，還包括從所述未暴露區(qū)域移除所述圖案化掩模。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域以圖案形式暴露于電暈放電包括使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域與電暈放電處理輥的圖案化表面接觸。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域以圖案形式暴露于電暈放電包括使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域與電暈放電處理帶的圖案化表面接觸。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述多個(gè)互連金屬納米線包括銀納米線。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露區(qū)域和所述未暴露區(qū)域具有基本上相同的霧度值。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露區(qū)域和所述未暴露區(qū)域具有基本上相同的透射率值。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述以圖案形式暴露的導(dǎo)電膜是光學(xué)透明的。

11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述使所述導(dǎo)電層的涂覆區(qū)域以圖案形式暴露于電暈放電包括將所述金屬納米線的多個(gè)部分化學(xué)地或物理地轉(zhuǎn)化為電絕緣區(qū)域。

12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露區(qū)域具有至少100微米的寬度。

13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述暴露區(qū)域具有至少1cm²的面積。