[發(fā)明專(zhuān)利]X射線產(chǎn)生裝置及X射線產(chǎn)生方法

在審

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380024680.4
• 申請(qǐng)日: 2013-03-15
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN104285270A
• 公開(kāi)（公告）日: 2015-01-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 石井淳;須山本比呂;鈴木直伸;藪下綾介
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 浜松光子學(xué)株式會(huì)社
• 主分類(lèi)號(hào): H01J35/08
• 分類(lèi)號(hào): H01J35/08;H01J35/14;H01J35/30;H05G1/52
• 代理公司: 北京尚誠(chéng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11322
• 代理人: 楊琦

1.一種X射線產(chǎn)生裝置，其特征在于，

具備：

電子槍部，其射出電子束；

靶部，其具有由鉆石所構(gòu)成的基板、及由通過(guò)所述電子束的入射而產(chǎn)生X射線的材料所構(gòu)成且緊貼地埋設(shè)于所述基板的靶體，

所述靶體的外徑為0.05～1μm的范圍，

所述電子束在所述靶部上的照射域的外徑為所述靶體的外徑的1.1～2.5倍的范圍，

以所述靶體包含于所述照射域的方式將所述電子束照射于所述靶體，從而從所述靶體產(chǎn)生X射線。

2.如權(quán)利要求1所述的X射線產(chǎn)生裝置，其特征在于，

在所述基板中的所述電子束的入射面?zhèn)刃纬捎邪^(guò)渡元素的保護(hù)層。

3.如權(quán)利要求1或2所述的X射線產(chǎn)生裝置，其特征在于，

還具備：

第一線圈部，其使所述電子束聚合；

第二線圈部，其使所述電子束偏向；及

控制部，其控制所述第一線圈部，以使所述電子束在所述靶部上的照射域的外徑成為所述靶體的外徑的1.1～2.5倍的范圍，并且控制所述第二線圈部，以使所述電子束的所述照射域包含所述靶體。

4.如權(quán)利要求3所述的X射線產(chǎn)生裝置，其特征在于，

還具備：檢測(cè)部，其檢測(cè)來(lái)自所述靶體的二次電子或從所述靶體產(chǎn)生的X射線或靶電流，

所述控制部基于所述檢測(cè)部的檢測(cè)信號(hào)來(lái)控制所述第二線圈部。

5.一種X射線產(chǎn)生方法，其特征在于，

是對(duì)靶部照射電子束而從所述靶體產(chǎn)生X射線的X射線產(chǎn)生方法，所述靶部具有由鉆石所構(gòu)成的基板、及由通過(guò)所述電子束的入射而產(chǎn)生X射線的材料所構(gòu)成且緊貼地埋設(shè)于所述基板的靶體，

將所述靶體的外徑設(shè)為0.05～1μm的范圍，

將所述電子束在所述靶部上的照射域的外徑設(shè)為所述靶體的外徑的1.1～2.5倍的范圍，

以所述照射域包含所述靶體的方式，將所述電子束照射于所述靶體。

6.如權(quán)利要求5所述的X射線產(chǎn)生方法，其特征在于，

在所述基板中的所述電子束的入射面?zhèn)刃纬捎邪^(guò)渡元素的保護(hù)層。

7.如權(quán)利要求5或6所述的X射線產(chǎn)生方法，其特征在于，

使用使所述電子束聚合的第一線圈部、及使所述電子束偏向的第二線圈部，

由所述第一線圈部，使所述電子束聚合，以使所述電子束在所述靶部上的照射域的外徑成為所述靶體的外徑的1.1～2.5倍的范圍，

由所述第二線圈部，使所述電子束偏向，以使所述電子束的所述照射域包含所述靶體。

8.如權(quán)利要求7所述的X射線產(chǎn)生方法，其特征在于，

使用檢測(cè)來(lái)自所述靶體的二次電子或從所述靶體產(chǎn)生的X射線或靶電流的檢測(cè)部，

基于所述檢測(cè)部的檢測(cè)信號(hào)，控制所述二次線圈，使所述電子束偏向。