[發明專利]外延基板、半導體裝置及半導體裝置的制造方法

無效

• 申請號: 201380024651.8
• 申請日: 2013-04-19
• 公開（公告）號: CN104303268A
• 公開（公告）日: 2015-01-21
• 發明（設計）人: 鹿內洋志;后藤博一;佐藤憲;篠宮勝;土屋慶太郎;萩本和徳
• 申請（專利權）人: 三墾電氣株式會社;信越半導體股份有限公司
• 主分類號: H01L21/20
• 分類號: H01L21/20;H01L21/205
• 代理公司: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003
• 代理人: 張永康;李英艷

1.一種外延基板，其特征在于，其具備：

硅基板，該硅基板以4×10¹⁷cm^－3以上且6×10¹⁷cm^－3以下的濃度含有氧原子，并且以5×10¹⁸cm^－3以上且6×10¹⁹cm^－3以下的濃度含有硼原子；及，

半導體層，該半導體層配置于前述硅基板上，并且由具有與前述硅基板不同的熱膨脹系數的材料所構成。

2.如權利要求1所述的外延基板，其中，前述半導體層是由氮化物半導體薄膜的積層體所構成。

3.一種半導體裝置，其特征在于，其具備：

硅基板，該硅基板以4×10¹⁷cm^－3以上且6×10¹⁷cm^－3以下的濃度含有氧原子，并且以5×10¹⁸cm^－3以上且6×10¹⁹cm^－3以下的濃度含有硼原子；

半導體層，該半導體層配置于前述硅基板上，并且由具有與前述硅基板不同的熱膨脹系數的材料所構成；及，

電極，該電極與前述半導體層電性連接。

4.如權利要求3所述的半導體裝置，其中，前述半導體層是由氮化物半導體薄膜的積層體所構成。

5.一種半導體裝置的制造方法，其特征在于，其包含：

準備硅基板的步驟，所述硅基板以4×10¹⁷cm^－3以上且6×10¹⁷cm^－3以下的濃度含有氧原子，并且以5×10¹⁸cm^－3以上且6×10¹⁹cm^－3以下的濃度含有硼原子；

一邊加熱前述硅基板一邊通過外延生長法在前述硅基板上形成半導體層的步驟，所述半導體層是由具有與前述硅基板不同的熱膨脹系數的材料所構成；及，

以與前述半導體層電性連接的方式來形成電極的步驟。

6.如權利要求5所述的半導體裝置的制造方法，其中，形成氮化物半導體薄膜的積層體，來作為前述半導體層。

7.如權利要求5或6所述的半導體裝置的制造方法，其中，在前述形成半導體層的步驟中，將前述硅基板加熱至900℃以上。