[發明專利]半導體裝置的制造方法

有效

• 申請號: 201380024316.8
• 申請日: 2013-06-24
• 公開（公告）號: CN104508796B
• 公開（公告）日: 2017-07-11
• 發明（設計）人: 若林直木
• 申請（專利權）人: 住友重機械工業株式會社
• 主分類號: H01L21/268
• 分類號: H01L21/268;H01L21/265;H01L21/336;H01L29/739;H01L29/78
• 代理公司: 廣州三環專利商標代理有限公司44202
• 代理人: 溫旭,郝傳鑫

1.一種半導體裝置的制造方法，其特征為，具有：

使從半導體激光振蕩器射出且具有10μs～30μs的范圍內的脈沖寬度的第1激光脈沖入射到半導體基板的第2面的工序，其中，所述半導體基板的第1面形成有半導體元件，所述半導體基板的所述第2面側的表層部非晶化到第1深度，并且在所述半導體基板的第2面側的表層部的比第1深度淺的區域以相對高濃度注入有第1雜質，在第2面側的表層部的比所述第1深度深的區域以相對低濃度注入有第2雜質；及

使具有所述第1激光脈沖的脈沖寬度的1/10以下的第2脈沖寬度的第2激光脈沖重疊入射到所述第1激光脈沖的入射區域的工序，

設定所述第1激光脈沖的下降時刻與所述第2激光脈沖的上升時刻在時間軸上的相對位置，以使通過所述第1激光脈沖及所述第2激光脈沖的入射而上升的所述第1面的溫度不超過預先確定的容許上限值，

所述第1激光脈沖以能夠使所述第2雜質活性化的條件入射到所述第2面。

2.根據權利要求1所述的半導體裝置的制造方法，其中，

將所述第1激光脈沖的下降時刻設為t4、將所述第2激光脈沖的上升時刻設為t2、將所述第1激光脈沖的脈沖寬度設為W時，滿足

-4W/5≤t2-t4≤W/2。

3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

通過所述第2激光脈沖的入射，產生所述非晶化的區域的熔融及結晶化，由此使所述第1雜質被活性化。

4.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

所述第2脈沖寬度在100ns～200ns的范圍內。

5.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

選擇所述第1激光脈沖的波長，使得向所述半導體基板的光侵入長度大于從所述第2面到所述第2雜質被注入的區域的底面為止的深度。

6.根據權利要求1或2所述的半導體裝置的制造方法，其中，

選擇所述第1激光脈沖的波長，使得向所述半導體基板的光侵入長度短于所述半導體基板的厚度。