[發明專利]顯示器件的阻隔材料

有效

• 申請號: 201380024294.5
• 申請日: 2013-03-08
• 公開（公告）號: CN104271797B
• 公開（公告）日: 2017-08-25
• 發明（設計）人: R·G·里奇韋;A·D·約翰森;A·麥利卡爾珠南;R·N·弗爾蒂斯;雷新建;M·L·奧尼爾;蕭滿超;李建恒;M·T·薩沃
• 申請（專利權）人: 弗薩姆材料美國有限責任公司
• 主分類號: C23C16/34
• 分類號: C23C16/34;C23C16/40
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所11256
• 代理人: 吳亦華

1.在金屬氧化物襯底的至少一個表面上沉積含硅梯度層或雙層的方法，所述方法包括：

在反應室中提供所述襯底的所述至少一個表面；

將選自下列的硅前體引入所述反應室中：

a.三甲硅烷基胺(TSA)；

b.具有式R¹R²NSiH₃的二烷基氨基硅烷，其中R¹獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相連形成環或R¹和R²未相連形成環；

c.式R¹_nR²_mSiH_4-m-n的烷基硅烷，其中R¹獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相連形成環或R¹和R²未相連形成環；m是0、1、2、3；和n是1、2、3；

d.具有式R¹_n(OR²)_mSiH_4-m-n的烷基烷氧基硅烷，其中R¹獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相連形成環或R¹和R²未相連形成環；m是1、2、3或4；和n是0、1、2或3；

e.具有式(R¹R²N)_nSiH_4-n的有機氨基硅烷，其中R¹獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；R²獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且其中R¹和R²相連形成環或R¹和R²未相連形成環；和n是2、3或4；

f.異氰酸根合硅烷，選自四(異氰酸根合)硅烷和三(異氰酸根合)硅烷；

g.具有式R¹R²R³SiN₃的烷基疊氮基硅烷，其中R¹、R²和R³獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；

h.具有式(R¹R²R³Si)₂(CH₂)_n的烷基橋接二硅烷，其中R¹、R²和R³獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；并且n＝1、2、3；

i.具有式Si(OR¹)₄的烷氧基硅烷，其中R¹獨立地選自C_1-10直鏈或支鏈烷基；C₄至C₁₀環烷基；C₃至C₁₂烯基；C₃至C₁₂炔基；和C₆至C₁₀芳基；及其組合；

j.1,4-二硅雜丁烷；

將氧源引入所述反應室中；

在所述反應室中提供25℃至350℃的反應溫度；和

在所述襯底的所述至少一個表面上沉積所述含硅梯度層的下部或所述雙層的下層；

停止所述氧源；

將含氮源引入所述反應室中：

在所述襯底的所述至少一個表面上的所述含硅梯度層的下部或所述雙層的下層上沉積所述含硅梯度層的上部或所述雙層的上層；

其中所述硅前體不含氧并且所述沉積選自化學氣相沉積(CVD)、等離子增強的化學氣相沉積(PECVD)、循環化學氣相沉積(CCVD)、等離子體增強的循環化學氣相沉積(PECCVD)、原子層沉積(ALD)、和等離子體增強的原子層沉積(PEALD)。