[發(fā)明專利]在低pH水體系中的硫酸鹽污垢控制

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• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201380024122.8
• 申請(qǐng)日: 2013-05-08
• 公開（公告）號(hào): CN104411867A
• 公開（公告）日: 2015-03-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: S·伯卡爾;M·J·布呂姆勒;L·J·安德曼
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 索里斯技術(shù)開曼有限合伙公司
• 主分類號(hào): C23F11/167
• 分類號(hào): C23F11/167
• 代理公司: 永新專利商標(biāo)代理有限公司 72002
• 代理人: 彭麗丹;過(guò)曉東

1.污垢控制劑，其用于抑制在高度酸性水體系中污垢的形成或沉積，所述污垢控制劑包含有機(jī)膦酸鹽。

2.權(quán)利要求1所述的污垢控制劑，其還包含無(wú)機(jī)磷酸鹽。

3.權(quán)利要求1所述的污垢控制劑，其中所述高度酸性水體系具有小于約4的pH。

4.權(quán)利要求1所述的污垢控制劑，其中所述有機(jī)膦酸鹽在烷基間隔基之間具有5個(gè)或更多個(gè)膦酸基團(tuán)。

5.權(quán)利要求1所述的污垢控制劑，其中所述有機(jī)膦酸鹽選自雙-1,6-亞己基三胺五亞甲基膦酸(BHMTAP)、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸(DETPMPA)、己二胺四亞甲基膦酸(HMDTMPA)、多氨基多醚基亞甲基膦酸(PAPEMP)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、次氨基(甲基膦酸)(ATMP)、依替膦酸、膦基羧酸(PCA)及它們的混合物。

6.權(quán)利要求1所述的污垢控制劑，其還包含聚合物。

7.權(quán)利要求6所述的污垢控制劑，其中所述聚合物為低分子量聚合物分散劑。

8.權(quán)利要求7所述的污垢控制劑，其中所述聚合物包含一種或多種選自以下組的官能團(tuán)：羧酸、磺酸、膦酸、醇、酰胺及它們的鹽。

9.抑制或防止在具有至少一個(gè)與高度酸性水體系接觸的表面的基底上形成污垢的方法，所述方法包括向所述高度酸性水體系中添加有效量的權(quán)利要求1所述的污垢控制劑以抑制污垢在所述表面上的形成。

10.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述高度酸性水體系具有小于約4的pH。

11.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述污垢包含鈣。

12.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述有機(jī)膦酸鹽在烷基間隔基之間具有5個(gè)或更多個(gè)膦酸基團(tuán)。

13.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述有機(jī)膦酸鹽選自雙-1,6-亞己基三胺五亞甲基膦酸(BHMTAP)、二亞乙基三胺五亞甲基膦酸(DETPMPA)、己二胺四亞甲基膦酸(HMDTMPA)、多氨基多醚基亞甲基膦酸(PAPEMP)、1-羥基亞乙基-1,1-二膦酸(HEDP)、次氨基(甲基膦酸)(ATMP)、依替膦酸、膦基羧酸(PCA)及它們的混合物。

14.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述污垢控制劑還包含無(wú)機(jī)磷酸鹽。

15.權(quán)利要求9所述的方法，其中所述污垢控制劑還包含聚合物。

16.權(quán)利要求15所述的方法，其中所述聚合物為低分子量聚合物分散劑。

17.權(quán)利要求15所述的方法，其中所述聚合物包含選自以下組的官能團(tuán)：羧酸、磺酸、醇、酰胺及它們的鹽。