[發明專利]制造半導體裝置的方法

在審

• 申請號: 201380024110.5
• 申請日: 2013-04-29
• 公開（公告）號: CN104541361A
• 公開（公告）日: 2015-04-22
• 發明（設計）人: D·弗朗茨;B·M·諾勒
• 申請（專利權）人: 巴斯夫歐洲公司
• 主分類號: H01L21/304
• 分類號: H01L21/304;H01L21/302
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 王丹丹;劉金輝

1.一種制造半導體裝置的方法，其包括在化學機械拋光組合物(Q1)存在下化學機械拋光含有至少一種III-V族材料的基板或層，化學機械拋光組合物(Q1)包含以下：

(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或復合物，

(B)含至少一種N-雜環的聚合物，和

(M)水性介質

其中Q1具有1.5至4.5的pH。

2.根據權利要求1的方法，其中III-V族材料為GaN、GaP、GaAs、GaSb、AlAs、AlN、InP、InAs、InSb、InGaAs、InAlAs、AlGaAs、GaAlN、GaInN、InGaAlAs、InGaAsP、InGaP、AlInP、GaAlSb、GaInSb、GaAlAsSb或GaInAsSb。

3.根據權利要求1的方法，其中III-V族材料為GaAs。

4.根據權利要求1-3中任一項的方法，其中聚合物(B)衍生自至少一種類型的含至少一種N-雜環的單體單元(MU)。

5.根據權利要求1-4中任一項的方法，其中N-雜環為吡咯、吡咯烷、吡咯烷酮、咪唑、吡啶、嘧啶、吡嗪、噠嗪、哌啶、三唑、苯并三唑、四唑、噻唑、異噻唑、四氫噻唑、唑、或異唑。

6.根據權利要求1-5中任一項的方法，其中所述N-雜環為吡咯烷酮或咪唑。

7.根據權利要求1-6中任一項的方法，其中聚合物(B)為聚乙烯吡咯烷酮聚合物、聚乙烯咪唑聚合物、或乙烯吡咯烷酮/乙烯咪唑共聚物。

8.根據權利要求1-7中任一項的方法，其中組合物(Q1)進一步包含

(D)至少一種類型的氧化劑。

9.根據權利要求1-8中任一項的方法，其中顆粒(A)為二氧化硅顆粒。

10.根據權利要求1-9中任一項的方法，其中III-V族材料為GaAs且其中組合物(Q1)包含以下：

(A)二氧化硅顆粒，

(B)衍生自至少一種類型的含吡咯烷酮或咪唑的單體單元(MU)的聚合物，

(D)氧化劑，和

(M)水性介質。

11.化學機械拋光組合物(Q1)在化學機械拋光含至少一種III-V族材料的基板或層中的用途，化學機械拋光組合物(Q1)包含以下：

(A)無機顆粒、有機顆粒、或其混合物或復合物，

(B)至少一種類型的含至少一種N-雜環的聚合物，和

(M)水性介質，

其中Q1具有1.5至4.5的pH。

12.一種制造半導體裝置的方法，其包括在化學機械拋光組合物(Q2)存在下化學機械拋光含至少一種III-V族材料的基板或層，化學機械拋光組合物(Q2)包含以下：

(A)無機顆粒，其選自：氧化鋁、二氧化鈰、氧化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鎢、氧化釔和二氧化鋯，或有機顆粒、或其混合物或復合物，

(C)含至少一種N-雜環的非聚合化合物，和

(M)水性介質，

其中Q2具有1.5至4.5的pH。

13.根據權利要求12的方法，其中N-雜環的作為環成員原子的氮原子不超過兩個。

14.根據權利要求12或13的方法，其中III-V族材料為GaAs且其中該組合物(Q2)包含以下：

(A)二氧化硅顆粒，

(C)吡咯烷酮，

(D)氧化劑，和

(M)水性介質。

15.化學機械拋光組合物(Q2)在化學機械拋光含至少一種III-V族材料的基板或層中的用途，化學機械拋光組合物(Q2)包含以下：

(A)無機顆粒，其選自：氧化鋁、二氧化鈰、氧化銅、氧化鐵、氧化鎳、氧化錳、二氧化硅、氮化硅、碳化硅、氧化錫、二氧化鈦、碳化鈦、氧化鎢、氧化釔和二氧化鋯，或有機顆粒、或其混合物或復合物，

(C)含至少一種N-雜環的非聚合化合物，和

(M)水性介質

其中Q2具有1.5至4.5的pH。