[發明專利]具有局限細絲形成的電阻性存儲器

有效

• 申請號: 201380024006.6
• 申請日: 2013-05-07
• 公開（公告）號: CN104303286B
• 公開（公告）日: 2017-06-09
• 發明（設計）人: 尤金·P·馬什;劉峻
• 申請（專利權）人: 美光科技公司
• 主分類號: H01L45/00
• 分類號: H01L45/00
• 代理公司: 北京律盟知識產權代理有限責任公司11287
• 代理人: 沈錦華

1.一種處理電阻性存儲器單元(116,228,336,440)的方法，其包括：

在具有硅材料(104,204,304,404)及所述硅材料(104,204,304,404)上的第一氧化物材料(106,206,306,406)的堆疊(100,200,300,400)中形成開口(108,208,308,408)；及

在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述硅材料(104,204,304,404)形成第二氧化物材料(112,212)，其中在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述硅材料(104,204,304,404)形成所述第二氧化物材料(112,212)包含：

在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述硅材料(104,204,304,404)選擇性地形成金屬材料(110)；

氧化所述金屬材料(110)；

其中形成于所述開口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)將所述電阻性存儲器單元(116,228,336,440)中的細絲形成局限于通過形成于所述開口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)圍封的區域。

2.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包含在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述經氧化的金屬材料(112,212)及所述第一氧化物材料(106,206,306,406)形成離子源材料(114,226,314,426)。

3.根據權利要求1所述的方法，其中所述方法包含：

在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述經氧化的金屬材料(112,212)及所述第一氧化物材料(106,206,306,406)形成電阻性存儲器材料(102,224,302,424)；及

在所述開口(108,208,308,408)中鄰近所述電阻性存儲器材料(102,224,302,424)及在通過形成于所述開口(108,208,308,408)中的所述第二氧化物材料(112,212)圍封的所述區域中形成離子源材料(114,226,314,426)。

4.一種電阻性存儲器單元(116,228,336,440)，其包括：

垂直堆疊(100,200,300,400)，其具有硅材料(104,204,304,404)及所述硅材料(104,204,304,404)上的第一氧化物材料(106,206,306,406)；

第二氧化物材料(112,212)，其鄰近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述硅材料(104,204,304,404)之間，其中鄰近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述硅材料(104,204,304,404)之間的所述第二氧化物材料(112,212)將所述電阻性存儲器單元(116,228,336,440)中的細絲形成局限于通過鄰近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述硅材料(104,204,304,404)之間的所述第二氧化物材料(112,212)圍封的區域，且其中通過以下步驟在鄰近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述硅材料(104,204,304,404)之間形成所述第二氧化物材料(112,212)：

在所述垂直堆疊(100,200,300,400)中的開口(108,208,308,408)中鄰近所述硅材料(104,204,304,404)選擇性地形成金屬材料(110)；

氧化所述金屬材料(110)；及

離子源材料(114,226,314,426)，其在通過鄰近所述硅材料(104,204,304,404)且在所述硅材料(104,204,304,404)之間的所述第二氧化物材料(112,212)圍封的所述區域中。